[发明专利]氮化镓晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓晶体管的制造方法，其特征在于，包括：

在硅衬底上依次生长氮化铝层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及氮化镓帽层；

在所述氮化镓帽层上依次沉积氮化硅钝化层及氧化层；

制造所述氮化镓晶体管的源极和漏极；

制造所述氮化镓晶体管的栅极。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅衬底上依次生长氮化铝层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及氮化镓帽层具体为：

采用外延生长的工艺在硅衬底上依次生长氮化铝层、氮化镓缓冲层、铝镓氮势垒层及氮化镓帽层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述在所述氮化镓帽层上依次沉积氮化硅钝化层及氧化层具体为：

采用化学气相沉积的工艺在所述氮化镓帽层上依次沉积氮化硅钝化层及氧化层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述制造所述氮化镓晶体管的源极和漏极具体包括：

刻蚀左右两侧部分区域的氧化层，分别形成第一氧化层开孔和第二氧化层开孔，在所述第一氧化层开孔和所述第二氧化层开孔内分别刻蚀所述氮化硅钝化层和所述氮化镓帽层，形成源极接触孔及漏极接触孔；

在所述源极接触孔内、所述漏极接触孔内、所述源极接触孔上方、所述漏极接触孔上方及所述氧化层上方沉积源漏极金属层；

采用电子束工艺蒸发所述源漏极金属层中的金属；

对所述氧化层上方的源漏极金属层进行光刻，刻蚀，形成源极及漏极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述制造所述氮化镓晶体管的栅极具体包括：

刻蚀中间部分区域的氧化层，形成第三氧化层开孔，在所述第三氧化层开孔内刻蚀所述氮化硅钝化层，形成栅极接触孔；

在所述栅极接触孔内、所述栅极接触孔上方、所述源极及所述漏极之间的氧化层上方沉积栅极金属层；

采用电子束工艺蒸发所述栅极金属层中的金属；

对所述氧化层上方的栅极金属层进行光刻，刻蚀，形成栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述氧化层为PETEOS氧化层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述在所述源极接触孔内、所述漏极接触孔内、所述源极接触孔上方、所述漏极接触孔上方及所述氧化层上方沉积源漏极金属层具体为：

在所述源极接触孔内、所述漏极接触孔内、所述源极接触孔上方、所述漏极接触孔上方及所述氧化层上方采用磁控溅射镀膜工艺依次沉积钛层，铝层，钛层及氮化钛层，以形成源漏极金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极接触孔内、所述栅极接触孔上方、所述源极及所述漏极之间的氧化层上方沉积栅极金属层具体为：

在所述栅极接触孔内、所述栅极接触孔上方、所述源极及所述漏极之间的氧化层上方采用磁控溅射镀膜工艺依次沉积氮化钛层，钛层，铝层，钛层及氮化钛层，以形成栅极金属层。