[发明专利]增强型氮化镓晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种增强型氮化镓晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在硅衬底的表面上依次生长磷掺杂的GaN介质层、氮化铝镓AlGaN介质层和氮化硅Si3N4介质层；

对所述Si3N4介质层的第一区域和第二区域进行刻蚀，以露出所述第一区域和所述第二区域分别对应的AlGaN介质层；

在露出的所述AlGaN介质层和剩余的所述Si3N4介质层上表面沉积金属层；

对所述金属层进行光刻、刻蚀，以露出所述Si3N4介质层并形成欧姆接触电极；

沿着露出的所述Si3N4介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀，直到刻蚀掉部分的所述AlGaN介质层，被刻蚀掉的所述Si3N4介质层和部分所述AlGaN介质层形成栅极接触孔；

在所述栅极接触孔中沉积二氧化硅SiO2介质层作为栅介质，且所述栅介质的表面低于所述栅极接触孔的孔口所在表面；

在所述SiO2介质层的上表面沉积多晶硅PolySi，并在所述PolySi中掺杂磷形成栅极，以完成所述增强型氮化镓晶体管的制作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在露出的所述AlGaN介质层和剩余的所述Si3N4介质层上表面沉积金属层之前，还包括：

对所述露出的所述AlGaN介质层和剩余的所述Si3N4介质层上表面进行清洗。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述金属层为欧姆电极金属，所述欧姆电极金属包括两层介质，所述两层介质按照从下到上的顺序依次为钛和铝。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述金属层进行光刻、刻蚀，以露出所述Si3N4介质层并形成欧姆接触电极之后，还包括：

在600℃的条件下，在N2氛围内退火10分钟。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述栅极接触孔中沉积二氧化硅SiO2介质层作为栅介质，且所述栅介质的表面低于所述栅极接触孔的孔口所在表面之前，还包括：

采用HCL清洗所述栅极接触孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对所述金属层进行光刻，包括：

对所述金属层依次进行涂胶、曝光、显影。