[发明专利]一种基于双栅晶体管的像素电路及其驱动方法

说明书

技术领域

本申请涉及显示器技术领域，尤其涉及一种基于双栅晶体管的像素电路及其驱动方法。

背景技术

有源矩阵驱动有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，OLED)因具有高亮度、高发光效率、宽视角和低功耗等优点，近年来被人们广泛研究，并被迅速应用到新一代的显示系统当中。传统的AMOLED像素单元是两个薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和一个存储电容的结构，如图1所示，其中T1管为驱动晶体管、T2为开关晶体管、C_S为存储电容和OLED为发光器件。开关晶体管T2响应来自扫描控制信号线上的信号，采样来自数据线的信号，存储电容C_S在开关晶体管T2关断后保存所采样的电压，驱动晶体管T1根据存储电容C_S所存储的电压信号为OLED提供电流，该电流决定了OLED的亮度。根据TFT的电压电流公式，驱动电流I_DS可以表示为：

其中，I_DS为驱动晶体管T1的漏源电流，μ_n为薄膜场效应晶体管的有效迁移率，C_ox为薄膜场效应晶体管单位面积的栅氧化层电容，W和L分别为薄膜场效应晶体管的有效沟道宽度和有效沟道长度，V_G为薄膜场效应晶体管的栅极电压，V_OLED为OLED两端的电压，与OLED的阈值电压相关，V_TH为TFT的阈值电压。

虽然图1所示像素电路的结构简单，但随着时间的推移，其中的元件会老化，尤其是驱动晶体管T1和有机发光二极管OLED会老化，导致驱动晶体管T1和OLED的阈值电压都会产生漂移，且像素矩阵中各处像素单元的驱动晶体管T1和OLED的阈值电压漂移情况也是不一样的；另外，因薄膜场效应晶体管采用多晶硅材料制成，从而会导致像素矩阵中各个像素单元的驱动晶体管T1的阈值电压V_TH具有不均匀的特性；以上两种情况，根据公式(1)可知，驱动电流I_DS这时都会发生改变，这样就会造成像素矩阵显示的不均匀性。

针对驱动晶体管和OLED的阈值电压漂移和不均匀带来的像素矩阵显示不均匀的问题，目前提出了两类基于像素内补偿的方法：电流编程方案和电压编程方案。电流编程方案虽然补偿精度比较高，但建立时间长，特别是在小电流大寄生电容的情况下；电压编程方案虽然驱动速度快，但补偿精度不理想，电流误差随着阈值电压变化量的增大而增大。因此，希望TFT的稳定较好。

发明内容

本申请提供一种基于双栅晶体管的像素电路及其驱动方法。

根据本申请的第一方面，本申请提供一种基于双栅晶体管的像素电路，包括：

发光器件OLED，所述发光器件OLED的阳极连接于一内部节点B，发光器件OLED的阴极连接于一低电平线V_SS；

驱动晶体管T1，所述驱动晶体管T1为双栅晶体管，用于驱动所述发光器件OLED发光；所述驱动晶体管T1的底栅极连接于一内部节点A，驱动晶体管T1的顶栅极连接于一内部节点C，驱动晶体管T1的源极连接于所述内部节点B；

开关晶体管T2，所述开关晶体管T2的栅极连接于阈值提取控制线V_COM，所述开关晶体管T2的漏极连接于驱动晶体管T1的漏极，开关晶体管T2的源极连接于所述内部节点C；

开关晶体管T3，所述开关晶体管T3的栅极连接于扫描控制线V_SCAN，开关晶体管T3的漏极连接于数据显示线V_DATA，开关晶体管T3的源极连接于所述内部节点A；

开关晶体管T4，所述开关晶体管T4的栅极连接于所述扫描控制线V_SCAN，开关晶体管T4的漏极连接于一固定电平线V_ER，开关晶体管T4的源极连接于所述内部节点B；

开关晶体管T5，所述开关晶体管T5的栅极连接于发光控制线V_EM，开关晶体管T5的漏极连接于高电平线V_DD，开关晶体管T5的源极连接于驱动晶体管T1的漏极；

电容C1，其连接于所述内部节点A和B之间；

电容C2，其连接于所述内部节点B和C之间。

根据本申请的第二方面，本申请提供一种基于双栅晶体管的像素电路，包括：