[发明专利]一种晶硅太阳能电池的制造工艺

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池的制造工艺，其特征在于：采用原子层沉积技术或者等离子体原子层沉积技术，主要包括如下步骤：

(1)在待处理的电池片两面，同时通过原子层沉积技术或者等离子体原子层沉积技术制备二氧化硅薄膜：

化学源：硅源为Si₂(NHC₂H₅)₆、(C₈H₂₂N₂Si)、SiCl₄、Si(CH₃)Cl₃、Si(CH₃)₂Cl₂、Si(CH₃)₃Cl中的一种，氧源为H₂O、H₂O₂、O₃中的一种；

工艺参数：工艺温度为20-300℃，工艺真空范围1-100torr，硅源和氧源脉冲时间分别在0.01秒-30秒之间，每一个反应气体脉冲完成后的惰性气体清洗时间为0.01秒-30秒之间；

该步骤采用等离子体原子层沉积技术时，所采用的氧源等离子气体为O₂、N₂O中的一种，化学源和工艺参数的选取与该步骤中原子层沉积技术相同；等离子发生器的工作范围为功率在100-5000瓦特,频率在50千赫兹-50兆赫兹；

(2)在步骤(1)加工好的电池片的两面，同时通过原子层沉积技术或者等离子体原子层沉积技术制备三氧化二铝薄膜：

化学源：铝源为Al(CH₃)₄、AlCl₃、Al(CH₂CH₃)₃、AlH₃中的一种；氧源为H₂O、H₂O₂、O₃中的一种；

工艺参数：工艺温度为50-300℃，工艺真空范围1-100torr，铝源和氧源脉冲时间分别在0.01秒-30秒之间，每一个反应气体脉冲完成后的惰性气体清洗时间为0.01秒-30秒之间；

该步骤采用等离子体原子层沉积技术时，所采用的氧源等离子气体为O₂、N₂O中的一种，化学源和工艺参数的选取与该步骤中原子层沉积技术相同；等离子发生器的工作范围为功率在100-5000瓦特,频率在50千赫兹-50兆赫兹

(3)在步骤(2)加工好的电池片的两面，同时通过原子层沉积技术或者等离子体原子层沉积技术制备氮化硅薄膜：

化学源：硅源为Si₂(NHC₂H₅)₆、(C₈H₂₂N₂Si)、SiCl₄、Si(CH₃)Cl₃、Si(CH₃)₂Cl₂、Si(CH₃)₃Cl中的一种，氮源为NH₃、N₂H₂中的一种；

工艺参数：工艺温度为50-500℃，工艺真空范围1-100torr，硅源和氮源脉冲时间分别在0.01秒-30秒之间，每一个反应气体脉冲完成后的惰性气体清洗时间为0.01秒-30秒之间；

该步骤采用等离子体原子层沉积技术时，所采用的氮源等离子气体为NH₃、N₂、H₂/N₂中的一种，其中采用H₂/N₂时，H₂浓度为H₂/N₂的1-50％；化学源和工艺参数的选取与该步骤中原子层沉积技术相同；等离子发生器的工作范围为功率在100-5000瓦特,频率在50千赫兹-50兆赫兹；

其中步骤(1)和步骤(2)在同一腔体内进行，步骤(3)根据实际情况选择与步骤(1)和步骤(2)在同一腔体或者不同腔体内进行。