[发明专利]一种消除闪光退火机台首十枚效应的方法有效
| 申请号： | 201610173408.8 | 申请日： | 2016-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN105609451B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金;余德钦 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 消除 闪光 退火 机台 首十枚 效应 方法 | ||
1.一种消除闪光退火机台首十枚效应的方法，其特征在于，所述消除闪光退火机台首十枚效应的方法，包括：
执行步骤S1：将待退火之第一晶圆设置在工艺腔室内；
执行步骤S2：通过设置在所述第一晶圆表面之上方的闪光灯进行加热，通过设置在所述第一晶圆背面之下面的卤素灯以第一温度进行预加热；
执行步骤S3：所述闪光退火机台闲置，且所述卤素灯持续以第二温度进行预加热；
执行步骤S4：将待退火之第二晶圆设置在工艺腔室内；
执行步骤S5：通过设置在所述第二晶圆表面之上方的闪光灯进行加热，通过设置在所述第二晶圆背面之下面的卤素灯进行第一温度预加热。
2.如权利要求1所述的消除闪光退火机台首十枚效应的方法，其特征在于，所述闪光退火机台闲置之闲置时间t≥10min。
3.如权利要求1所述的消除闪光退火机台首十枚效应的方法，其特征在于，所述闪光灯进行加热的时间为2～50毫秒内的任一数字取值。
4.如权利要求1所述的消除闪光退火机台首十枚效应的方法，其特征在于，所述闪光灯进行加热的温度为1000～1250℃内的任一数字取值。
5.如权利要求1所述的消除闪光退火机台首十枚效应的方法，其特征在于，所述卤素灯进行预加热的第一温度为600～800℃内的任一数字取值。
6.如权利要求1所述的消除闪光退火机台首十枚效应的方法，其特征在于，所述卤素灯在闪光退火机台处于闲置时，所述预加热之第二温度所产生的能量为所述第二晶圆之卤素灯以第一温度进行预加热所产生能量的50％～100％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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