[发明专利]一种AMOLED像素电路及驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素电路的驱动方法，所述AMOLED像素电路包括第一开关晶体管T1、第二开关晶体管T2、驱动管T3、有机发光二极管OLED、数据线Vdata、第一扫描控制线Vscan1、第二扫描控制线Vscan2、存储电容Cst、编程/擦除信号线Vpe，其中：

所述第一开关晶体管T1包括第一开关晶体管漏极、第一开关晶体管栅极以及第一开关晶体管源极，所述第一开关晶体管漏极与数据线Vdata相连接，第一开关晶体管栅极与第一扫描控制线Vscan1相连接，而第一开关晶体管源极与存储电容Cst的A 端相连接；

所述第二开关晶体管T2包括第二开关晶体管漏极、第二开关晶体管栅极以及第二开关晶体管源极，所述第二开关晶体管漏极与有机发光二极管OLED的阳极相连接，第二开关晶体管栅极与第二扫描控制线Vscan2相连接，第二开关晶体管源极连接地线Vss；

所述驱动管T3为具备电荷存储功能且能够通过调节其自身存储层中的电荷数目调节其阈值电压的双栅薄膜晶体管；所述驱动管T3包括第一栅极、第二栅极、驱动管漏极以及驱动管源极，所述第一栅极与存储电容Cst的A端相连接，第二栅极与编程/擦除信号线Vpe相连接，驱动管漏极与电源线Vdd相连接，驱动管源极与有机发光二极管OLED的阳极相连接；

所述存储电容Cst的B端以及有机发光二极管OLED的阴极分别与地线Vss相连接；

其特征在于，包括以下步骤：

（1）阈值电压重置阶段：第一扫描控制线Vscan1设为高电平，第二扫描控制线Vscan2设为高电平，电源线Vdd设为低电平，数据线Vdata上的电压设为预置电压Vpreset，编程/擦除信号线Vpe上的电压设为擦电压Ve；利用隧穿机制对驱动管T3进行擦操作使其阈值电压变小；

（2）阈值电压补偿阶段：第一扫描控制线Vscan1和第二扫描控制线Vscan2维持为高电平，电源线Vdd变为高电平，数据线Vdata上的电压维持为预置电压Vpreset，编程/擦除信号线Vpe上的电压变为编程电压Vp；利用沟道热电子注入机制对驱动管T3进行编程操作使其阈值电压变大，完成驱动管T3的阈值电压补偿；

（3）驱动电压写入阶段：第一扫描控制线Vscan1和第二扫描控制线Vscan2维持高电平，数据线Vdata上的驱动电压Vdrive通过第一开关晶体管T1写入到驱动管T3的第一栅极并通过存储电容保持到下一帧更新；

（4）发光阶段：第一扫描控制线Vscan1和第二扫描控制线Vscan2变为低电平，存储电容Cst所保持的驱动电压提供给驱动管T3的第一栅极，驱动有机发光二极管OLED。

2.根据权利要求1所述的AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于：所述驱动管T3包括由上到下依次设置的第二栅极（16）、阻挡层（23）、存储层（22）、隧穿层（21）、沟道层(13)、栅氧化层(12)以及衬底(10)，所述栅氧化层(12)与衬底(10)相对的一面的形状为凹形，所述第一栅极(11)设置于栅氧化层（12）的凹形内部，且所述栅氧化层(12)的两侧凸起侧端与衬底（10）相接；所述隧穿层（21）与沟道层（13）相对的一面的形状为凸形，驱动管源极（14）设置于隧穿层（2）凸形一面较低的两侧上，且所述隧穿层（2）的凸形端与沟道层（13）连接。

3.根据权利要求1所述的AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于：所述利用隧穿机制对驱动管T3进行擦操作使其阈值电压变小的方法：利用隧穿机制使得电子从驱动管T3的存储层返回到沟道层，且/或空穴从驱动管T3的沟道层注入并存储到存储层。

4.根据权利要求3所述的AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于：所述隧穿机制包括F-N隧穿机制或光照辅助F-N隧穿机制。

5.根据权利要求1所述的AMOLED像素电路的驱动方法，其特征在于：所述利用沟道热电子注入机制对驱动管T3进行编程操作使其阈值电压变大的方法：利用沟道热电子注入机制，使电子从驱动管T3的沟道层注入并存储到存储层使得驱动管T3的阈值电压越来越大；当驱动管T3的第二栅极与驱动管源极之间的电压与驱动管T3的阈值电压相等时，驱动管T3的工作状态由饱和状态变为截止状态，沟道热电子消失，进而由沟道层向存储层注入电子的过程停止，存储层中的电子数目不再增加。