[发明专利]一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法有效
申请号: | 201610167537.6 | 申请日: | 2016-03-23 |
公开(公告)号: | CN107226699B | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 崔勇;熊良银;葛鹏;李明群;刘实 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;C04B35/547;C04B35/653 |
代理公司: | 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 | 代理人: | 崔晓蕾 |
地址: | 110015 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 铜锌镓硒四元 半导体 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种铜锌镓硒四元半导体合金,其特征在于,所述铜锌镓硒四元半导体合金为P型半导体,其元素组成的原子比为:
铜:0.8-1
镓:0.7-1
锌:0.1-0.19
硒:2-2.5
所述半导体合金的制备方法为:
将硒化铜、硒化锌、三硒化二镓三种原料装入石英玻璃试管中,对石英玻璃试管抽真空处理,封管,放入真空感应炉中;对真空感应炉抽真空,之后通入保护性气体,使真空感应炉内真空度为0.2×105-0.3×105 Pa,然后升温到600-750℃,待三种原料熔化后,升温到800-1200℃,熔炼20-40min,随炉冷却,得到铜锌镓硒四元半导体合金。
2.按照权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金,其特征在于,所述铜锌镓硒四元半导体合金其元素组成的原子比为:
铜:0.8-0.9
镓:0.7-0.8
锌:0.1-0.19
硒:2-2.5。
3.一种权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
将硒化铜、硒化锌、三硒化二镓三种原料装入石英玻璃试管中,对石英玻璃试管抽真空处理,封管,放入真空感应炉中;对真空感应炉抽真空,之后通入保护性气体,使真空感应炉内真空度为0.2×105-0.3×105 Pa,然后升温到600-750℃,待三种原料熔化后,升温到800-1200℃,熔炼20-40min,随炉冷却,得到铜锌镓硒四元半导体合金。
4.按照权利要求3所述铜锌镓硒四元半导体合金的制备方法,其特征在于,硒化铜、三硒化二镓、硒化锌三种原料投入量的摩尔比为:0.8-1:0.35-0.45:0.1-0.3。
5.按照权利要求3所述铜锌镓硒四元半导体合金的制备方法,其特征在于:所述保护性气体为氩气。
6.权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金在PN节太阳能电池方面的应用。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的