[发明专利]一种铜锌镓硒四元半导体合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610167537.6 申请日: 2016-03-23
公开(公告)号: CN107226699B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 崔勇;熊良银;葛鹏;李明群;刘实 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: H01L31/032 分类号: H01L31/032;C04B35/547;C04B35/653
代理公司: 沈阳晨创科技专利代理有限责任公司 21001 代理人: 崔晓蕾
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 铜锌镓硒四元 半导体 合金 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铜锌镓硒四元半导体合金,其特征在于,所述铜锌镓硒四元半导体合金为P型半导体,其元素组成的原子比为:

铜:0.8-1

镓:0.7-1

锌:0.1-0.19

硒:2-2.5

所述半导体合金的制备方法为:

将硒化铜、硒化锌、三硒化二镓三种原料装入石英玻璃试管中,对石英玻璃试管抽真空处理,封管,放入真空感应炉中;对真空感应炉抽真空,之后通入保护性气体,使真空感应炉内真空度为0.2×105-0.3×105 Pa,然后升温到600-750℃,待三种原料熔化后,升温到800-1200℃,熔炼20-40min,随炉冷却,得到铜锌镓硒四元半导体合金。

2.按照权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金,其特征在于,所述铜锌镓硒四元半导体合金其元素组成的原子比为:

铜:0.8-0.9

镓:0.7-0.8

锌:0.1-0.19

硒:2-2.5。

3.一种权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:

将硒化铜、硒化锌、三硒化二镓三种原料装入石英玻璃试管中,对石英玻璃试管抽真空处理,封管,放入真空感应炉中;对真空感应炉抽真空,之后通入保护性气体,使真空感应炉内真空度为0.2×105-0.3×105 Pa,然后升温到600-750℃,待三种原料熔化后,升温到800-1200℃,熔炼20-40min,随炉冷却,得到铜锌镓硒四元半导体合金。

4.按照权利要求3所述铜锌镓硒四元半导体合金的制备方法,其特征在于,硒化铜、三硒化二镓、硒化锌三种原料投入量的摩尔比为:0.8-1:0.35-0.45:0.1-0.3。

5.按照权利要求3所述铜锌镓硒四元半导体合金的制备方法,其特征在于:所述保护性气体为氩气。

6.权利要求1所述铜锌镓硒四元半导体合金在PN节太阳能电池方面的应用。

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