[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，和位于所述衬底基板上的源极、 漏极、栅极、栅绝缘层和有源层；其中，所述栅绝缘层设置在所述栅极与所述 有源层之间；所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接；其特征在于：

所述栅极为复合金属层；所述复合金属层包括至少一层靠近所述栅绝缘层 的具有掺杂离子的第一金属层，和至少一层远离所述栅绝缘层的第二金属层； 其中，所述具有掺杂离子的第一金属层用于对所述有源层引入应力。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述具有掺杂离子 的第一金属层中的掺杂离子为氮离子。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氮离子的剂量 范围为1.0e¹²～1.0e¹³/cm²。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层的材 料至少包括氧化硅和氮化硅。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属层和 第二金属层的材料至少包括钼、钛和铝中的一种。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述复合金属层包 括一层所述具有掺杂离子的第一金属层和两层第二金属层；所述第一金属层的 材料为钼或钛，靠近所述第一金属层的第二金属层的材料为铝，远离所述第一 金属层的第二金属层的材料为钼或钛。

7.根据权利要求1～5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、 所述有源层和所述栅绝缘层在所述衬底基板上的层叠顺序依次为所述有源层、 所述栅绝缘层和所述栅极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括层间介质层；

所述层间介质层覆盖所述栅极和所述栅绝缘层；所述源极贯穿所述层间介 质层和所述栅绝缘层与所述有源层连接；所述漏极贯穿所述层间介质层和所述 栅绝缘层与所述有源层连接。

9.根据权利要求1～5任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、 所述有源层和所述栅绝缘层在所述衬底基板上的层叠顺序依次为所述栅极、所 述栅绝缘层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的薄膜 晶体管。

11.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成 栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极的制作步骤；其中，所述栅绝缘层设置 在所述栅极与所述有源层之间；所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接； 其中，

形成栅极的制作步骤，包括：

利用离子注入工艺和构图工艺形成复合金属层，以形成栅极；所述复合金 属层包括至少一层靠近所述栅绝缘层的具有掺杂离子的第一金属层，和至少一 层远离所述栅绝缘层的第二金属层，所述具有掺杂离子的第一金属层用于对所 述有源层引入应力。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在衬底基板上形成 栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极的制作步骤，包括：

形成位于衬底基板上的有源层；

形成位于所述有源层和所述衬底基板上的栅绝缘层；

利用离子注入工艺和构图工艺，形成位于所述栅绝缘层上且在所述有源层 上方的复合金属层，以形成栅极；

以所述复合金属层为掩膜，利用离子注入工艺透过所述栅绝缘层向所述有 源层中进行离子注入；

分别形成与所述有源层连接的源极和漏极。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述利用离子注入 工艺和构图工艺，形成位于所述栅绝缘层上且在所述有源层上方的复合金属 层，以形成栅极，包括：

在所述栅绝缘层上且在所述有源层上方形成至少一层整层的第一金属薄 膜；

对所述第一金属薄膜进行氮离子注入；

在已注入氮离子的所述第一金属薄膜上形成至少一层整层的第二金属薄 膜；

通过构图工艺对所述第一金属薄膜和第二金属薄膜进行刻蚀，以形成栅 极。