[发明专利]一种改性的聚噻吩类有机磁阻薄膜材料及其制备方法、应用

权利要求书

1.一种有机磁阻薄膜材料，其特征在于，由聚噻吩类化合物和 稠环芳烃类衍生物复合后得到。

2.根据权利要求1所述的有机磁阻薄膜材料，其特征在于，所 述聚噻吩类化合物包括3-己基取代聚噻吩、3-辛基取代聚噻吩和聚(3- 丁基聚噻吩-2,5-二基)中的一种或多种；

所述稠环芳烃类衍生物包括并五苯、并五聚噻吩、6,13-二甲基并 五苯和6,13-二乙基并五苯中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的有机磁阻薄膜材料，其特征在于，所 述稠环芳烃类衍生物与所述聚噻吩类化合物的质量比为(0.1～10)： (99.9～90)。

4.根据权利要求1所述的有机磁阻薄膜材料，其特征在于，所 述有机磁阻薄膜的厚度为50nm～1μm；

所述有机磁阻薄膜的载流子迁移率为1×10^-4cm²/V·s～0.1cm²/V·s。

5.一种有机磁阻薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括以下 步骤：

1)将聚噻吩类化合物和稠环芳烃类衍生物在有机溶剂中混合后， 得到混合液；

2)将上述步骤得到的混合液成膜后，得到有机磁阻薄膜材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述有机溶 剂包括邻-二氯苯，间-二氯苯，对-二氯苯和氯苯中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述成膜的 方法包括压制法、喷涂法、棒式涂布法或印刷法。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1) 具体为：

将稠环芳烃类衍生物溶于有机溶剂中，再加入聚噻吩类化合物混 合后，得到混合液。

9.权利要求1～4任意一项所述的有机磁阻薄膜材料或权利要求 5～8任意一项所制备的有机磁阻薄膜材料在磁敏电阻元件中的应用。

10.一种有机电子元件，具有至少三层的层结构和至少两个触头， 其特征在于，

所述三层为上导电层、有机中间层和下导电层；其中，所述有机 中间层采用权利要求1～4任意一项所述的有机磁阻薄膜材料或由权利 要求5～8任意一项所述的方法所制备的有机磁阻薄膜材料。