[发明专利]小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器

权利要求书

1.一种小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特征在于：包括增益 芯片、光学谐振腔镜组件和泵浦光源，所述光学谐振腔镜组件位于增益芯片前 侧并与增益芯片组成V型谐振腔，所述泵浦光源从后侧对增益芯片进行泵浦并通 过光学谐振腔镜组件产生锁模脉冲激光。

2.根据权利要求1所述的小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特 征在于：所述增益芯片由前到后依次包括量子阱有源区、第一分布布喇格反射 层和第一热沉，所述第一分布布喇格反射层为对基频光高反而对泵浦光高透的 结构，热沉上设置有用于泵浦光穿过的通光孔。

3.根据权利要求2所述的小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特 征在于：所述第一分布布喇格反射层包括依次间隔设置的低折射率层和高折射 率层，所述低折射率层由砷化镓制备而成，所述高折射率层由砷化镓掺杂铝后 制备而成。

4.根据权利要求3所述的小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特 征在于：所述高折射率层中铝按摩尔比占10％-20％。

5.根据权利要求1所述的小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特 征在于：所述光学谐振腔镜包括后腔反射镜和耦合输出镜，所述后腔反射镜由 后向前依次包括第二分布布喇格反射层、可饱和吸收体层和基片层；所述基质 片为由砷化镓材料制备而成的用于压窄基频激光线宽的半导体片，基质片的上、 下表面均抛光处理且相互平行，基质片的上表面设置有对基频激光增透的增透 膜；所述可饱和吸收体层包括两层砷化镓和设置于两层砷化镓之间的砷化镓铟。

6.根据权利要求2所述的小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特 征在于：所述量子阱有源区由多个量子阱单元重叠而成，所述量子阱单元包括 两层势垒层和设置于两势垒层之间的量子阱层；所述势垒层和量子阱层分别为 砷化镓和砷化镓铟。

7.根据权利要求6所述的小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特 征在于：所述增益芯片前侧还设置有窗口层和保护层；所述窗口层为砷化镓铟， 所述保护层为砷化镓。

8.根据权利要求2所述的小型化高重复频率锁模半导体薄片激光器，其特 征在于：所述通光孔为锥形孔。