[发明专利]一种抗PID的氮化硅减反射膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种抗PID的氮化硅减反射膜，其特征在于，所述氮化硅减反射膜由沉积于硅片上的内、外两层氮化硅减反射膜组成，其中，内层氮化硅减反射膜的折射率为2.0，外层氮化硅减反射膜的折射率为2.2；

内层氮化硅减反射膜的厚度为20.5nm，外层氮化硅减反射膜的厚度为61.5nm；

通过改变氮化硅减反射膜的折射率和厚度，提高氮化硅减反射膜的抗PID作用;

所述氮化硅减反射膜的折射率通过控制氮化硅减反射膜的晶化度来实现。

2.一种如权利要求1所述的抗PID的氮化硅减反射膜的制备方法，其特征在于，采用PECVD化学气相沉积技术，使用Centrotherm PECVD设备，通过调节Centrotherm PECVD设备的气体流量、温度、功率参数，在硅片上依次获得相应折射率的内、外层氮化硅减反射膜；

调节Centrotherm PECVD设备的SiH₄流量为400sccm，NH₃流量为5slm，温度为450℃，功率源功率为2800W，功率源频率为12.5kHz。

3.一种抗PID的氮化硅减反射膜的应用，其特征在于，将如权利要求1所述的抗PID的氮化硅减反射膜应用于多晶硅太阳电池中。

4.根据权利要求3所述的抗PID的氮化硅减反射膜的应用，其特征在于，将所述多晶硅太阳电池进行封装，制成组件。