[发明专利]一种GaN HEMT器件制作方法在审
| 申请号： | 201610158915.4 | 申请日： | 2016-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN105590851A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan hemt 器件 制作方法 | ||
1.一种GaNHEMT器件制作方法，提供衬底，其特征在于，包括以下步 骤：
S1、在所述衬底上沉积一层VLS生长用的催化剂；
S2、在所述催化剂上形成周期性的压印胶；
S3、按照所述压印胶的分布刻蚀所述催化剂，形成周期性的图形化的催化 剂；
S4、采用VLS生长机理，在图形化的催化剂上生长GaN纳米柱；
S5、去除所述图形化的催化剂，形成图形化衬底；
S6、在所述图形化衬底上生长外延层，在所述外延层上完成源极、漏极、 栅极的制作。
2.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 衬底的材料为Si、SiC、蓝宝石或金刚石。
3.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步骤S2利用纳米压印技术，在所述催化剂上形成周期性的压印胶。
4.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步骤S4具体为：采用VLS生长机理，以Ga源和N源有机气体作为反应气体， 以H2气或Ar气作为载气，在所述图形化的催化剂上生长GaN纳米柱。
5.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步骤S5采用刻蚀技术去除所述图形化的催化剂。
6.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 催化剂的材料为Al、Ni或Au。
7.根据权利要求6所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 催化剂的厚度为50～100nm。
8.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步骤S6具体为在所述图形化衬底上依次生长GaN过渡层和AlxGa1-xN势垒层， 在所述AlxGa1-xN势垒层上完成源极、漏极、栅极的制作，且源级和漏极为欧姆 接触，栅极为肖特基接触。
9.根据权利要求8所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 AlxGa1-xN势垒层中Al组分x＝0.1～0.3。
10.根据权利要求1所述的GaNHEMT器件制作方法，其特征在于，所述 步骤S5中图形化衬底的宽度和间隔距离均小于100nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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