[发明专利]一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材在审
| 申请号： | 201610158348.2 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN105777107A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 谢逊;孙景峰 | 申请（专利权）人： | 江苏新浦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/622 |
| 代理公司： | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人： | 王美华 |
| 地址： | 213300 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁控溅射 方法 制备 导电 玻璃 陶瓷 | ||
【权利要求书】：
1.一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材，其特征在于：所述靶材 配方包括：SnO291～98wt.％，Sb2O30.1～6.0wt.％，Bi2WO30.01～2wt.％,LaMnO30.1～ 4wt.％，ZnO0.01～1.8wt.％，其中：Bi2WO3、LaMnO3分别是采用常规的化学原料 以固相法合成。
2.根据权利要求1所述的一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材， 其特征在于：所述陶瓷靶材中的LaMnO3的制备过程包括：将常规的化学原料La2O3、 MnO2按1/2：1摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于900～950℃保 温120分钟，固相反应合成LaMnO3，冷却后研磨过200目筛，备用。
3.根据权利要求2所述的一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材， 其特征在于：所述陶瓷靶材中的Bi2WO3的制备过程包括：将常规的化学原料Bi2O3和WO3按1：1摩尔比配料，研磨混合均匀后放入氧化铝坩埚内于850℃左右保温 120分钟，冷却后得到Bi2WO3,研磨过200目筛，备用。
4.根据权利要求3所述的一种利用磁控溅射方法制备导电玻璃用陶瓷靶材， 其特征在于：所述陶瓷靶材配方中包括：Bi2WO3和LaMnO3。
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