[发明专利]一种像素驱动电路、显示设备和像素驱动方法有效

专利信息
申请号: 201610157872.8 申请日: 2016-03-18
公开(公告)号: CN105632405B 公开(公告)日: 2018-09-21
发明(设计)人: 胡祖权 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: G09G3/3208 分类号: G09G3/3208
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;黄灿
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 驱动 电路 显示 设备 方法
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,用于驱动像素结构中的发光器件,其特征在于,所述像素驱动电路包括:

与发光器件串联的驱动晶体管(T1),漏极与第一电源信号输入端子(VDD)连接;

电容结构(C),第一端和所述驱动晶体管(T1)的栅极连接,第二端和所述驱动晶体管(T1)的源极连接;

至少包括一电流源的充电电路,用于在充电阶段对所述电容结构(C)进行充电;

所述充电阶段的至少一段时间内,对所述电容结构(C)进行充电的充电电流的电流强度大于目标电流的电流强度,且充电阶段结束后,电容结构(C)两端的电压差为目标电压差;

所述目标电压差为:所述发光器件在发光阶段以设定亮度发光时,所述驱动晶体管(T1)的栅源电压差;

所述目标电流为:所述发光器件在发光阶段以设定亮度发光时,流过所述驱动晶体管(T1)的电流;

所述充电电路包括:

至少一个和所述驱动晶体管(T1)并联的电流控制晶体管(T2),所述电流控制晶体管(T2)的栅极和所述电容结构(C)的第一端连接,源极和所述电容结构(C)的第二端连接;

用于生成电流强度大于目标电流的电流强度的电流源,设置于第二电源信号输入端子(VSS)和与所述驱动晶体管(T1)的源极、所述电流控制晶体管(T2)的源极和所述电容结构(C)的第二端同时连接的第一公共节点(N1)之间;

控制单元,用于在充电阶段控制所述电流控制晶体管(T2)和电流源对所述电容结构(C)充电,在显示阶段控制所述电流控制晶体管(T2)和电流源停止对所述电容结构(C)充电;

所述控制单元具体包括:

第一开关单元,在充电阶段导通,导通第一电源信号输入端子(VDD)和所述电流控制晶体管(T2)的栅极、漏极和所述电容结构(C)的第一端,在发光阶段关断;

第二开关单元,所述第二开关单元设置于第二电源信号输入端子(VSS)和所述第一公共节点(N1)之间,和所述电流源串联,所述第二开关单元用于在充电阶段导通,在发光阶段关断。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一开关单元具体包括:

第一薄膜晶体管(M1),所述第一薄膜晶体管(M1)的漏极与所述第一电源信号输入端子(VDD)连接,所述第一薄膜晶体管(M1)的源极和与所述电流控制晶体管(T2)的漏极、栅极和所述电容结构(C)的第一端同时连接的第二公共节点(N2)连接,所述第一薄膜晶体管(M1)用于在充电阶段导通,发光阶段关断。

3.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一开关单元具体包括:

第二薄膜晶体管(M2),所述第二薄膜晶体管(M2)的漏极与所述第一电源信号输入端子(VDD)连接,所述第二薄膜晶体管(M2)的源极和所述电流控制晶体管(T2)的漏极连接,所述第二薄膜晶体管(M2)用于在充电阶段导通,发光阶段关断;

第三薄膜晶体管(M3),所述第三薄膜晶体管(M3)的漏极与所述第一电源信号输入端子(VDD)连接,所述第三薄膜晶体管(M3)的源极和与所述电流控制晶体管(T2)的栅极和所述电容结构(C)的第一端同时连接的第三公共节点(N3)连接,所述第三薄膜晶体管(M3)用于在充电阶段导通,发光阶段关断。

4.根据权利要求1-3中任意一项所述的像素驱动电路,其特征在于,所述发光器件设置于第二电源信号输入端子(VSS)和所述第一公共节点(N1)之间,所述像素驱动电路还包括:

第三开关单元,所述第三开关单元设置于所述第二电源信号输入端子(VSS)和与所述驱动晶体管(T1)的源极、所述电流控制晶体管(T2)的源极和所述电容结构(C)的第二端同时连接的第一公共节点(N1)之间,与发光器件串联,所述第三开关单元用于在充电阶段关断,在发光阶段导通。

5.一种显示设备,包括至少一个像素结构,所述像素结构包括发光器件,其特征在于,每一个像素结构还包括权利要求1-4中任意一项所述的像素驱动电路,所述发光器件与所述像素驱动电路中的驱动晶体管的源极或者漏极连接。

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