[发明专利]一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶及其制备方法和用途

权利要求书

1.一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：

1）将铅试剂、油酸和作为溶剂的1-十八烯加入到反应容器中，在100~110℃下搅拌并抽真空1~2小时，直至铅试剂完全溶解，反应液无气泡且为澄清透明状，得到铅前驱体，其中所述铅试剂和油酸的摩尔比为1:2.5~5；

2）向反应容器中通入惰性气体，并调节至60~180℃的设定温度，将三甲基硅烷基卤族化合物、二(三甲基硅烷基)氧族化合物和作为溶剂的1-十八烯混合均匀后，快速转移至步骤1）中得到的铅前驱体中，并继续反应0.5~30分钟，其中所述三甲基硅烷基卤族化合物、二(三甲基硅烷基)氧族化合物和铅试剂的摩尔比为0.05~1.6:1:2~3；

3）反应完毕后，将反应液降至室温并加入正己烷，分别通过异丙醇和丙酮沉淀、离心弃去上层液及真空抽干的后处理，得到卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤1）中所述铅试剂选自氧化铅、醋酸铅、氯化铅、溴化铅、碘化铅中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤1）中所述铅试剂和油酸的摩尔比为1:2.5。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤2）中所述惰性气体选自氮气、氦气、氖气中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤2）中所述三甲基硅烷基卤族化合物选自三甲基氯硅烷、三甲基溴硅烷、三甲基碘硅烷中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤2）中所述二(三甲基硅烷基)氧族化合物选自二(三甲基硅烷基)硫化物、二(三甲基硅烷基)硒化物中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：

步骤2）中所述三甲基硅烷基卤族化合物、二(三甲基硅烷基)氧族化合物和铅试剂的摩尔比为0.05~1.6:1:2。

8.一种卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶，其通过根据权利要求1至7中任一项所述的制备方法制备。

9.根据权利要求8所述的卤素掺杂的铅氧族化合物纳米晶在制备太阳能电池中的用途。