[发明专利]一种三维封装垂直通孔的填充方法及装置有效
申请号: | 201610154070.1 | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN105609450B | 公开(公告)日: | 2018-03-13 |
发明(设计)人: | 赵宁;董伟;魏宇婷;康世薇;黄明亮;钟毅 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/768 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司21212 | 代理人: | 李馨 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 三维 封装 垂直 填充 方法 装置 | ||
1.一种三维封装垂直通孔的填充装置,包括金属液喷射装置和填充工作区(3),所述金属液喷射装置置于腔体(1)的上部,所述金属液喷射装置包括用于液滴喷射的坩埚(2),所述坩埚(2)内设有与压电陶瓷(11)相连的传动杆(12),所述坩埚(2)外侧设有加热带(28),所述坩埚(2)顶部开有坩埚进气口Ⅰ(23)、坩埚进气口Ⅱ(24)和坩埚排气口(27),所述腔体(1)一侧开有腔体进气口(18)和腔体排气口(17),机械泵(25)与扩散泵(26)安装在所述坩埚(2)的上部且与所述坩埚(2)及所述腔体(1)相连;
其特征在于:
所述坩埚(2)是以中心线为轴的、内外嵌套圆环式结构,所述坩埚(2)的内容纳腔(22)的底部与所述坩埚(2)的外容纳腔(21)的底部设有相贯通的中心孔,所述内容纳腔(22)的底部与所述外容纳腔(21)的底部之间设有用于熔融金属流通的空间,所述内容纳腔(22)的中心孔上方设有压片(13),所述传动杆(12)与所述压片(13)接触;所述外容纳腔(21)的中心孔底部设有喷射孔(211);
所述坩埚(2)通过连接有三维运动控制器(15)的坩埚支架(14)与所述腔体(1)上部相连,所述腔体(1)中部两侧还设有维持腔体(1)温度的腔体温度控制器(16);
所述填充工作区(3)包括用于承接所述金属液喷射装置喷射出的均匀液滴(4)或稳流液线(5)的衬底(31)和用于放置所述衬底(31)且对所述衬底(31)施加超声振动的衬底承载部;
所述喷射孔(211)与所述衬底(31)之间的垂直距离D与所述衬底(31)的温度T之间满足以下关系,T≥100+(D-5)×5。
2.根据权利要求1所述的三维封装垂直通孔的填充装置,其特征在于:当所述衬底承载部仅为工作平台(32)时,所述填充工作区(3)置于所述腔体(1)底部,工作时,所述机械泵(25)与所述扩散泵(26)对所述腔体(1)和所述坩埚(2)抽真空;
当所述衬底承载部为带有传送带(33)的工作平台(32)时,所述填充工作区(3)位于所述腔体(1)下方,所述腔体(1)下部无底,工作时,所述机械泵(25)与所述扩散泵(26)仅对所述坩埚(2)抽真空;或者将所述腔体(1)下部两侧侧壁开设对称的可供所述传送带(33)穿过的侧拉门(19),工作时,所述机械泵(25)与所述扩散泵(26)对所述腔体(1)和所述坩埚(2)抽真空。
3.根据权利要求1所述的三维封装垂直通孔的填充装置,其特征在于:所述衬底(31)上已形成未贯穿所述衬底(31)的微孔(311)阵列图形,所述微孔(311)的侧壁已完成扩散阻挡层(313)及绝缘层(314)处理。
4.根据权利要求3所述的三维封装垂直通孔的填充装置,其特征在于:所述坩埚(2)内置有热电偶,所述喷射孔(211)的直径小于所述微孔(311)的直径,所述喷射孔(211)的直径与所述微孔(311)的直径的比值为0.45-0.75。
5.根据权利要求3所述的三维封装垂直通孔的填充装置,其特征在于:所述喷射孔(211)为单孔、单列孔或与所述微孔(311)阵列图形相同的全阵列孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610154070.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造