[发明专利]高介微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号: | 201610154058.0 | 申请日: | 2016-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN105693235B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
| 发明(设计)人: | 唐斌;方梓烜;孙成礼;钟朝位;张树人 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
| 主分类号: | C04B35/46 | 分类号: | C04B35/46;C04B35/622;C04B35/64 |
| 代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 敖欢;葛启函 |
| 地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 微波介质陶瓷材料 高介 价态 四价 制备 频率温度系数 高介电常数 挥发性 材料化学 国内供应 模压成型 微波器件 微波陶瓷 应用需求 烧结 低成本 可调的 过筛 烘干 球磨 预烧 造粒 离子 配方 金属 | ||
1.一种高介微波介质陶瓷材料,其特征在于:材料化学通式为(Ca0.35Li0.25Nd0.35)(Ti1-xDx)O3,其中0.01≤x≤0.05,D的组成为VW,V代表价态高于四价的Ta,W代表价态低于四价且平均离子半径接近于Ti4+的单个或多种元素,V和W同时取代或单独取代;单独取代时,W为Al、Ga、Mg、Zn、Ni中的一种;当VW同时取代时,若W为Al、Ga其中的一种,则摩尔比V:W=1:1,若W为Mg、Zn、Ni其中的一种,则摩尔比V:W=2:1。
2.根据权利要求1所述的高介微波介质陶瓷材料,其特征在于:所述微波介质陶瓷材料晶相为正交钙钛矿结构。
3.根据权利要求1所述的高介微波介质陶瓷材料,其特征在于:所述微波介质陶瓷材料的相对介电常数εr在120~140之间,Q×f值在2700~4000GHz之间,τf频率温度系数在+7~+60ppm/℃之间。
4.根据权利要求1至3任意一项所述的高介微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于:按化学通式(Ca0.35Li0.25Nd0.35)(Ti1-xDx)O3,原料选自CaCO3、Li2CO3、Nd2O3、TiO2、Al2O3、MgO、ZnO、NiO、Ga2O3和Ta2O5,各原料按化学通式确定各自质量百分含量,经过球磨混合,1080~1120℃下预烧,然后在1150~1300℃下烧结制成。
5.根据权利要求4所述的高介微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)配料:按照化学通式(Ca0.35Li0.25Nd0.35)(Ti1-xDx)O3,原料选自CaCO3、Li2CO3、Nd2O3、TiO2、Al2O3、MgO、ZnO、NiO、Ga2O3和Ta2O5,各原料按化学通式确定各自质量百分含量;
(2)球磨:将步骤(1)所得混合料进行球磨,得到球磨料;
(3)烘干,过筛:将步骤(2)所得球磨料烘干并过60目筛得到干燥粉体;
(4)预烧:将步骤(3)所得干燥粉体置于氧化铝坩埚中,1080~1120℃条件下预烧3~5小时得到预烧粉体;
(5)造粒,模压成型:将步骤(4)所得预烧粉体与聚乙烯醇水溶液混合后造粒,造粒尺寸控制在80~100目,将粒料放入成型模具中干压成型得到生坯;
(6)烧结:将步骤(5)所得生坯置于氧化铝坩埚中,1150~1300℃下烧结4~6小时,得到最终的微波介质陶瓷材料。
6.根据权利要求5所述的高介微波介质陶瓷材料的制备方法,其特征在于:所述步骤(2)中具体球磨过程为:以二氧化锆球为球磨介质,按照混合料:磨球:高纯酒精的质量比为1:(3~5):(1~2)进行研磨5~7小时得到混合均匀的球磨料。
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