[发明专利]金属化叠层及包括其的半导体器件和电子设备

权利要求书

1.一种金属化叠层，包括：

层间电介质层，包括电介质材料和负电容材料，

其中，该层间电介质层中形成的至少一对彼此之间至少部分相对的第一导电互连部件在它们的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者，并且该层间电介质层的上层间电介质层中形成的至少一个第二导电互连部件与该层间电介质层的下层间电介质层中形成的与该第二导电互连部件至少部分相对的至少一个第三导电互连部件，在所述第二导电互连部件与所述第三导电互连部件的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者，其中在该第二导电互连部件与该第三导电互连部件之间的相对部分之间，电介质材料和负电容材料沿着金属化叠层的面内方向相邻设置。

2.根据权利要求1所述的金属化叠层，其中，在该对第一导电互连部件之间的相对部分之间，电介质材料和负电容材料实质上沿着金属化叠层的堆叠方向叠置。

3.根据权利要求1或2所述的金属化叠层，其中，层间电介质层包括电介质材料的子层与负电容材料的子层沿着金属化叠层的堆叠方向叠置的叠层。

4.根据权利要求3所述的金属化叠层，其中，层间电介质层包括电介质材料的子层与负电容材料的子层的交替叠层。

5.根据权利要求1所述的金属化叠层，其中，在该对第一导电互连部件之间的相对部分之间，电介质材料和负电容材料沿着金属化叠层的面内方向相邻设置。

6.根据权利要求5所述的金属化叠层，其中，电介质材料构成该层间电介质层的本体，负电容材料嵌于本体中形成的沟槽中。

7.根据权利要求6所述的金属化叠层，其中，沟槽从该对第一导电互连部件之一延伸至该对第一导电互连部件中另一个。

8.根据权利要求6或7所述的金属化叠层，其中，在该对第一导电互连部件之间的相对部分之间，形成有多个这种沟槽。

9.根据权利要求6所述的金属化叠层，其中，负电容材料的底面低于第一导电互连部件的底面。

10.根据权利要求1所述的金属化叠层，其中，电介质材料构成该层间电介质层的本体，负电容材料嵌于本体中形成的沟槽中；或者，负电容材料构成该层间电介质层的本体，电介质材料嵌于本体中形成的沟槽中。

11.根据权利要求1所述的金属化叠层，其中，在所述相对部分之间，电介质材料和/或负电容材料的尺度被设置为使得它们在所述相对部分之间导致的总电容小于仅由电介质材料填充在所述相对部分之间而导致的电容，且不小于零。

12.一种半导体器件，包括如权利要求1-11中任一项所述的金属化叠层。

13.一种电子设备，包括如权利要求12所述的半导体器件形成的集成电路。

14.根据权利要求13所述的电子设备，还包括：与所述集成电路配合的显示器以及与所述集成电路配合的无线收发器。