[发明专利]像素电路、显示装置在审
| 申请号： | 201610152497.8 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN107204171A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 徐小丽;周思思 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | G09G3/3233 | 分类号： | G09G3/3233 |
| 代理公司： | 上海隆天律师事务所31282 | 代理人： | 臧云霄,李峰 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 像素 电路 显示装置 | ||
1.一种像素电路，其特征在于，包括：第一开关，第二开关，第三开关、电容以及发光元件；
所述第一开关的第一端电性连接至一数据信号的供应端；
所述第一开关的控制端电性连接至一扫描信号的供应端；
所述第二开关的第一控制端和所述第二开关的第一端电性连接，且均电性连接所述第一开关的第二端；
所述第二开关的第二控制端和所述第二开关的第二端电性连接，且均电性连接所述电容的第一端和所述第三开关的控制端；
所述电容的第二端和所述第三开关的第一端电性连接，且均电性连接至一第一电源信号的供应端；以及
所述发光元件串联在所述第三开关的第二端与一第二电源信号的供应端之间。
2.权利要求1所述的像素电路，其特征在于：所述第一至第三开关包括非晶硅N型场效应晶体管、多晶硅N型场效应晶体管、非晶硅P型场效应晶体管、多晶硅P型场效应晶体管或者非晶态氧化物半导体场效应晶体管。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于：所述非晶态氧化物半导体场效应晶体管为铟一镓一锌一氧簿膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于：所述发光元件包括有机发光二极管。
5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于：所述第二电源信号的供应端为一接地信号供应端。
6.一种显示装置，其特征在于，包括多级如权利要求1至5任一项所述的像素电路。
7.一种像素电路，其特征在于，包括：
第一开关，所述第一开关用以响应一扫描信号以传送一数据信号；
第二开关，所述第二开关用以接收由所述第一开关所传送的所述数据信号，其中所述第二开关包括第一控制端和第二控制端；以及
第三开关，所述第三开关用以接收第一电源信号，同时电性连接一电容和发光元件，其中所述电容用以保存所述数据信号，而所述发光元件另连接一第二电源信号的供应端。
8.根据权利要求7所述的像素电路，其特征在于：
所述第一开关的第一端电性连接至所述数据信号的供应端,而所述第一开关的控制端电性连接至所述扫描信号的供应端；
所述第二开关的所述第一控制端和所述第二开关的第一端电性连接，且均电性连接所述第一开关的第二端；
所述第二开关的所述第二控制端和所述第二开关的第二端电性连接，且均电性连接所述电容的第一端和所述第三开关的控制端；
所述电容的第二端和所述第三开关的第一端电性连接，且均电性连接至第一电源信号的供应端；以及
所述发光元件串联在所述第三开关的第二端与所述第二电源信号的供应端之间。
9.根据权利要求8所述的像素电路，其特征在于：所述第二电源信号的供应端为一接地信号的供应端。
10.根据权利要求7至9任一所述的像素电路，其特征在于：所述第一至第三开关为N型晶体管或者所述第一开关至第三开关为P型晶体管。
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