[发明专利]一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法

权利要求书

1.一种去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，其特征在于：包括如下步骤：

(1)清洗剂准备：将草酸溶于去离子水中，配制成浓度为0.05～0.15mol/L的草酸清洗剂，并向带有药液循环系统的清洗槽中加入10～20L上述清洗剂，清洗剂保持循环；

(2)初步清洗：将抛光作业完成后的抛光盘取下，并对抛光盘内的锗晶片抛光面用去离子水冲洗，后用真空吸笔将锗晶片从抛光盘取出，并依次插入周转盒，并保证抛光面朝同一方向；

(3)清洗剂清洗：将装入锗晶片的周转盒浸入步骤(1)备好的清洗槽内的清洗剂中，并沿锗晶片表面的平行方向摆动周转盒5～30S，后将周转盒在清洗剂中静置5～30S；

(4)后处理：将周转盒从清洗槽中取出，顺时针倾斜5～50°，先对锗晶片的抛光表面用去离子水冲洗5～50S，再逆时针倾斜5～50°对锗晶片的未抛光表面用去离子水冲洗5～50S，冲洗完成后装入甩干机中甩干后流转到清洗钝化工序。

2.根据权利要求1所述的去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，其特征在于：所述周转盒为5～15片装。

3.根据权利要求1所述的去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，其特征在于：所述清洗槽中的清洗剂每清洗50片锗单晶片放空更换一次。

4.根据权利要求1所述的去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，其特征在于：所述草酸清洗剂的浓度为0.1mol/L。

5.根据权利要求1所述的去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，其特征在于：步骤(4)中周转盒的顺时针倾斜角度为15～30°。

6.根据权利要求1所述的去除太阳能锗单晶片抛光残留药剂的方法，其特征在于：步骤(4)中周转盒的逆时针倾斜角度为15～30°。