[发明专利]一种自动分拣二极管的装置及方法有效
申请号: | 201610149851.1 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN105632979B | 公开(公告)日: | 2017-05-17 |
发明(设计)人: | 韦文生;赵少云 | 申请(专利权)人: | 温州大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L33/00 |
代理公司: | 温州名创知识产权代理有限公司33258 | 代理人: | 陈加利 |
地址: | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自动 分拣 二极管 装置 方法 | ||
技术领域
本发明涉及工业自动化技术领域,尤其涉及一种自动分拣二极管的装置及方法。
背景技术
二极管被广泛的应用于现代电力电子设备,是现代电力电子设备实现高效、快速电能转换和控制使用的核心器件。二极管由截止到导通和由导通到截止均需要一定时间,即存在开关瞬态。而开关瞬态特性的存在会引起电磁干扰,增加功率损耗等,对设备的工作安全以及运行性能有很大影响,这些大功率设备中对二极管性能的稳定性、可靠性要求较高,因此选择合适的二极管很重要。
由于二极管广泛应用,造成二极管的需求量过大,而现有技术中二极管的分拣技术不太成熟,造成分拣装置过于复杂、成本过高,且分拣过程耗时耗力,甚至出现分拣误差。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种自动分拣二极管的装置及方法,其结构简单、成本低,且能够省时省力,降低分拣误差。
本发明实施例提供了一种自动分拣二极管的装置,其与二极管相配合,包括参数检测电路、驱动电路和分拣机构;其中,
所述参数检测电路与所述驱动电路的一端相连,用于检测当前二极管的相关数据;
所述驱动电路的另一端与所述分拣机构相连,用于待判定当前二极管进入所述分拣机构后,根据接收到的参数检测电路所检测的相关数据,输出相应的指令来驱动所述分拣机构动作;
所述分拣机构包括分拣通道、第一电磁铁、第二电磁铁和第三电磁铁;其中,所述分拣通道包括第一通道,以及分别贯穿所述第一通道一侧内侧壁的第二通道和第三通道,还包括贯穿所述第二通道一侧内侧壁的第四通道,使得所述分拣通道形成有一个入口和四个出口,用于当前二极管的进出;所述第一电磁铁位于所述第一通道与所述第二通道连接处,所述第二电磁铁位于所述第一通道与所述第三通道连接处,所述第三电磁铁位于所述第二通道与所述第四通道连接处,且所述第一电磁铁、第二电磁铁和第三电磁铁均与所述驱动电路相连,用于根据接收到的驱动电路所输出的指令,通过位置翻转或静止来控制所述第一通道、第二通道、第三通道及第四通道的导通或关断,使得当前二极管可从所述第一通道、第二通道、第三通道及第四通道之中其一的出口流出。
其中,当所述参数检测电路所检测的相关数据小于预设的第一阈值时,所述驱动电路待判定当前二极管进入所述分拣机构后,输出第一指令;
所述分拣机构根据所述第一指令,通过所述第一电磁铁及所述第二电磁铁的位置翻转来控制所述第一通道导通,以及控制所述第二通道、第三通道及第四通道均关断,使得当前二极管可从所述第一通道的出口流出。
其中,当所述参数检测电路所检测的相关数据大于所述预设的第一阈值且小于预设的第二阈值时,所述驱动电路待判定当前二极管进入所述分拣机构后,输出第二指令;
所述分拣机构根据所述第二指令,通过所述第一电磁铁的位置翻转及所述第二电磁铁的位置静止来控制所述第一通道导通与所述第三通道相导通,以及控制所述第二通道及所述第四通道均关断,使得当前二极管可从所述第三通道的出口流出。
其中,当所述参数检测电路所检测的相关数据大于所述预设的第二阈值时,所述驱动电路待判定当前二极管进入所述分拣机构后,输出第三指令;
所述分拣机构根据所述第三指令,通过所述第一电磁铁的位置静止及第三电磁铁的位置翻转来控制所述第二通道与第四通道相导通,以及控制所述第一通道及所述第三通道均关断,使得当前二极管可从所述第四通道的出口流出。
其中,当所述参数检测电路所检测的相关数据为0时,所述驱动电路待判定当前二极管进入所述分拣机构后,输出第四指令;
所述分拣机构根据所述第四指令,通过所述第一电磁铁及所述第三电磁铁的位置静止来控制所述第二通道导通,以及控制所述第一通道、第三通道及第四通道均关断,使得当前二极管可从所述第二通道的出口流出。
其中,所述装置还包括与所述参数检测电路相连的报警电路,所述报警电路通过发光二极管、蜂鸣器及二者连接的外围电路来实现,用于当所述参数检测电路所检测的相关数据为0时,进行发光和/或发声报警。.
其中,所述参数检测电路所检测的相关数据为当前二极管的反向恢复时间、反向恢复电压、反向恢复电流之中其一种。
本发明实施例还提供了一种自动分拣二极管的方法,其在前述的装置中实现,所述方法包括:
通过所述装置中参数检测电路检测当前二极管的相关数据;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造