[发明专利]一种Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610149771.6 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105632771B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 孙盼盼;吴智鑫;张鸣;艾长智;孙小华;黄妞 | 申请（专利权）人： | 三峡大学 |
| 主分类号： | H01G9/20 | 分类号： | H01G9/20;H01G9/042 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所42103 | 代理人： | 蒋悦 |
| 地址： | 443002*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sb sub se 薄膜 电极 材料 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法，其特征在于，采用热蒸发方法，在沉积有碳纳米粒子的薄膜上获得Sb2Se3薄膜，其实现步骤为：
将碳纳米粒子和羧甲基纤维羧钠分散至水中得到碳纳米粒子溶胶，经过60~100oC真空干燥，得到沉积有碳纳米粒子的薄膜；
将装有Sb2Se3粉体的刚玉舟置于管式炉中，将沉积有碳纳米粒子的薄膜盖在刚玉舟之上，放入管式炉中退火处理后，等待自然冷却，即在沉积有碳纳米粒子的薄膜上得到Sb2Se3薄膜。
2.权利要求1所述的Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法，其特征在于，沉积有碳纳米粒子的薄膜的导电面朝下。
3.权利要求1所述的Sb2Se3薄膜对电极材料的制备方法，其特征在于，退火处理是在N2或Ar气氛下，以2~8oC/min的升温速率，350~550oC的热蒸发温度，热蒸发10min~1h。
4.权利要求1-3任一项得到的Sb2Se3薄膜对电极材料在染料敏化太阳能电池对电极材料上的应用。
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