[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

说明书

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。本方法包括：为每一实体抹除单元设定读取干扰门槛值；根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作。基于上述，本发明提出根据实体抹除单元的抹除次数动态地调整读取干扰门槛值，借以有效地降低实体抹除单元磨损的机率或读取干扰发生的机率。

技术领域

本发明是有关于一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。

背景技术

数码相机、手机与MP3在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储介质的需求也急速增加。由于可复写式非挥发性存储器(rewritable non-volatile memory)具有数据非挥发性、省电、体积小、无机械结构、读写速度快等特性，最适于便携式电子产品，例如笔记本电脑。固态硬盘就是一种以快速存储器模块作为存储介质的存储器存储装置。因此，近年快速存储器产业成为电子产业中相当热门的一环。

一般来说，可复写式非挥发性存储器模块通常包括多个实体抹除单元，并且每一个实体抹除单元会包括多个实体程序化页面。特别是，可复写式非挥发性存储器模块中的实体抹除单元的抹除次数是有限的，例如，一个实体抹除单元在经历一万次的抹除操作后就会磨损。而当一个实体抹除单元磨损时，会导致将数据程序化(也称，写入)至此实体抹除单元时产生错误位元，更严重者还会导致例如数据遗失或无法存储数据等不利的影响。

此外，当一个实体抹除单元中的一个实体程序化单元所存储的数据被进行多次的读取后(例如，十万至百万次的读取次数)，则此实体程序化单元所存储的数据也很有可能会因所施加的读取电压而产生错误位元或遗失，甚至可能造成位于同一实体抹除单元中存储在其他实体程序化单元中的数据产生错误位元或遗失，此类现象被本发明领域具有通常知识者惯称为“读取干扰”(read-disturb)。

可复写式非挥发性存储器模块存在着实体抹除单元会随着使用而造成磨损与读取干扰的现象，此些现象无不驱使各家厂商必须发展出各种存储器的管理方法，借以有效地降低实体抹除单元磨损的机率或抑制读取干扰发生的机率。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置，可有效地降低实体抹除单元磨损的机率或抑制读取干扰发生的机率，进而提高可复写式非挥发性存储器模块的生命周期与可靠度。

本发明提出一种存储器管理方法，用于可复写式非挥发性存储器模块，其中可复写式非挥发性存储器模块具有多个实体抹除单元，实体抹除单元之中的每一个具有多个实体程序化单元，此存储器管理方法包括：为每一实体抹除单元设定读取干扰门槛值；根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作。

在本发明的一范例实施例中，上述根据可复写式非挥发性存储器模块的状态信息，调整第一实体抹除单元的读取干扰门槛值的步骤包括：记录每一实体抹除单元的抹除计数；以及当第一实体抹除单元的抹除计数从第一计数值增加为第二计数值时，将第一实体抹除单元的读取干扰门槛值从第一门槛值调整成第二门槛值，其中第二计数值大于第一计数值，且第二门槛值小于第一门槛值。

在本发明的一范例实施例中，其中根据第一实体抹除单元的读取干扰门槛值，执行预防读取干扰操作的步骤包括：判断对应第一实体抹除单元的第一实体程序化单元的读取次数是否大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值；以及倘若对应第一实体程序化单元的读取次数大于第一实体抹除单元的读取干扰门槛值时，将存储在第一实体抹除单元的数据复制到这些实体抹除单元之中的第二实体抹除单元。