[发明专利]GaN高电子迁移率晶体管非线性可伸缩模型的构建方法有效
| 申请号： | 201610146520.2 | 申请日： | 2016-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105825005B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;郑佳欣;马佩军;卢阳;张恒爽;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;王喜媛 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 电子 迁移率 晶体管 非线性 伸缩 模型 构建 方法 | ||
【说明书】：
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