[发明专利]一种天麻密环菌新型原材料培养基及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及天麻栽培技术领域，具体涉及一种天麻密环菌新型原 材料培养基及其制备方法。

背景技术

天麻的栽培种植过程中，其包含有有性繁殖和无性繁殖两种栽种 方法，在有性繁殖过程中，为了降低天麻的栽培成本，增大天麻的产 量，除了需要提供优质的蜜环菌材，使得蜜环菌材为天麻栽培种植过 程中提供充足的营养外，对于天麻种植的萌发率、成活率也是至关重 要的。

为了提高天麻的产量，就必须提高接菌率，如何提高接菌率是提 高天麻产量关键因素，本发明人通过大量的研究和实验，提出了一种 新型原材料培养基对密环菌进行培养，为天麻有性繁殖原球茎增加了 更多的接菌机率，从而达到提高天麻产量的目的，而且还能解决传统 天麻培养对植被生态造成破坏、天麻栽培成本高的问题。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种天麻密环菌新型原材料 培养基及其制备方法。

本发明是通过以下技术方案予以实现的：

一种天麻密环菌新型原材料培养基，它由以下重量份原料组成： 秸秆200-220份、石膏粉2-6份、大豆粉4-8份、麦麸2-6份、锯末2-6份、 营养剂8-12份。

所述天麻密环菌新型原材料培养基由以下重量份原料组成：秸秆 205-215份、石膏粉3-5份、大豆粉5-7份、麦麸3-5份、锯末3-5份、营 养剂9-11份。

所述天麻密环菌新型原材料培养基由以下重量份原料组成：秸秆 210份、石膏粉4份、大豆粉6份、麦麸4份、锯末4份、营养剂10份。

所述秸秆为玉米秸秆、小麦秸秆、稻草秸秆中的至少一种。

所述石膏粉为磷石膏经过高温煅烧处理和球磨处理得到的无水 石膏粉。

所述高温煅烧处理是将磷石膏在200-250℃的温度下煅烧 60-80min后即可。

所述球磨处理是将经过煅烧处理的石膏放入球磨机中球磨至 100-300目即得到无水石膏粉。

所述营养剂是由以下原料重量份原料制备而成：棉籽壳4份、木 屑2份、玉米粉2份、青草粉1份，制备时将棉籽壳与木屑粉碎后与玉 米粉、青草粉混合即可。

本发明还提供了上述天麻密环菌新型原材料培养基的制备方法， 该方法包括以下步骤：

a、粉碎混合：将秸秆、麦麸、锯末粉碎至100-300目后与石膏粉、 大豆粉、营养剂充分混合均匀得到混料；

b、碳化处理：将混料放入压型机中压制成长为40cm，宽为10cm， 高为10cm的混料块，将混料块放入温度为80-90℃的碳化机中烧至表 面表面呈焦黄色时即可；

c、浸泡处理：将经过碳化处理的混料块放入2-4％的麦芽糖水中 浸泡至吸水饱和后捞出进行蜜环菌块的培育，培育时将母菌与培养块 按照传统育菌方法培育即可。

本发明的有益效果在于：本发明制备的新型原材料培养基中由于 原料营养成分充足，在经过特殊的碳化加工处理后，其有效的供养时 间能够提高到1年以上，采用本培养基供养进行天麻的种植能够有效 的提高其天麻的产量，且栽培出的天麻具有粗状个大、生长良好、质 量稳定的特点，其有效生物转换率能够达到30-40％，本培养基制备 方法简单、成本低、还克服了传统天麻培养对植被生态造成破坏的问 题，而且将磷石膏经过加工处理后用于充当本培养基的原料，有效减 少了磷石膏的堆放问题，降低了培养基的成本，本培养基具有良好的 吸附能力，能够吸收养分并长期保存，为密环菌生长提供了保障，解 决了传统天麻培育接菌率低、产量低的问题。

具体实施方式

以下结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步描述，但要求 保护的范围并不局限于所述。

实施例一

配方：200份、石膏粉2份、大豆粉4份、麦麸2份、锯末2份、营 养剂8份。

石膏粉制备：将磷石膏在200℃的温度下煅烧60min后，放入球磨 机中球磨至100目得到无水石膏粉。

天麻密环菌新型原材料培养基制备：

a、粉碎混合：将秸秆、麦麸、锯末粉碎至100目后与石膏粉、大 豆粉、营养剂充分混合均匀得到混料；

b、碳化处理：将混料放入压型机中压制成长为40cm，宽为10cm， 高为10cm的混料块，将混料块放入温度为80℃的碳化机中烧至表面 表面呈焦黄色时即可；