[发明专利]一种电源调节器及射频前端模块有效

专利信息
申请号: 201610146328.3 申请日: 2016-03-15
公开(公告)号: CN105656291B 公开(公告)日: 2018-07-31
发明(设计)人: 郭亚炜;徐志伟;张连星;路宁 申请(专利权)人: 宜确半导体(苏州)有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02M1/36
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 调节器 射频 前端 模块
【说明书】:

本申请公开了一种电源调节器及射频前端模块,其中,所述电源调节器包括:控制模块和稳压模块,所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接,所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接;其中,所述控制模块基于HEMT工艺实现,包括控制单元和镜像电流单元;所述稳压模块基于HBT工艺实现。所述电源调节器不仅可以产生不随驱动电压变化的输出电压,还可以根据外界的使能信号控制所述电源调节器的工作状态,实现了在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中既能够提供稳定的输出电压,又能够在空闲状态下关断输出电压的目的。

技术领域

本申请涉及电路设计技术领域,更具体地说,涉及一种电源调节器及射频前端模块。

背景技术

射频前端模块通常由功率放大器(Power Amplifier,PA)、开关(Switch)和低噪声放大器(Low-Noise Amplifier,LNA)组成。其功率放大器的偏置电路需要输入一路稳定的参考电压源,这个稳定的参考电压源通常由电源调节器提供。

在现有技术中,射频前端模块通常由两颗基于不同集成工艺的芯片组成,功率放大器设置于其中一颗基于HBT(heterojunction bipolar transistor,异质结双极晶体管)工艺的芯片之中;开关和低噪声放大器通常设置于另外一颗基于HEMT(High ElectronMobility Transistor,高电子迁移率晶体管)工艺的芯片之中。这是因为基于HEMT工艺实现的开关的插入损耗较小,而反向隔离度较高;基于HEMT工艺实现的低噪声放大器能够得到较好的噪声系数和线性度。但是由于工艺本身的限制,如果将所述电源调节器设置于HBT工艺的芯片中,虽然能够实现稳压电路,但却很难在射频前端模块的空闲状态下关闭功率放大器,即关断电源调节器的输出电压提供使能控制功能;并且由于HEMT工艺本身不具备实现稳压电路所必须的PN结,因此如果将所述电源调节器设置于HEMT工艺的芯片中,所述电源调节器无法提供稳定的输出电压。

因此如何在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中实现具有使能控制功能的电源调节器成为研究人员努力的方向。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供了一种电源调节器及射频前端模块,以在分别基于HBT和HEMT工艺的两颗芯片实现的射频前端模块中实现一种既能够提供稳定的输出电压,又能够在空闲状态下关断输出电压的电源调节器的目的。

为实现上述技术目的,本发明实施例提供了如下技术方案:

一种电源调节器,所述电源调节器包括:控制模块和稳压模块,所述控制模块的第一信号输出端与所述稳压模块的第一信号输入端电连接,所述控制模块的第二信号输出端与所述稳压模块的第二信号输入端电连接;其中,

所述控制模块基于高电子迁移率晶体管HEMT工艺实现,包括控制单元和镜像电流单元;其中,所述控制单元的第一信号输出端与所述镜像电流单元的第一信号输入端电连接,所述控制单元的第二信号输出端与所述镜像电流单元的第二信号输入端电连接,所述控制单元的控制信号输入端用于接收外界使能信号,所述控制单元的电压输入端用于接收驱动电压,所述控制单元用于根据所述使能信号控制所述电源调节器的工作状态,并在所述电源调节器工作时将所述驱动电压传送给所述镜像电流单元;

所述镜像电流单元用于在接收到所述驱动电压时产生第一电流和第二电流,并通过所述控制模块的第一信号输出端向所述稳压模块传送第一电流,通过所述控制模块的第二信号输出端向所述稳压模块传送第二电流,所述第一电流和第二电流为镜像电流;

所述稳压模块基于异质结双极晶体管HBT工艺实现,用于在接收到所述第一电流和第二电流后开始工作,获得不随所述驱动电压变化的输出电压并通过所述稳压模块的信号输出端输出。

优选的,所述稳压模块包括:第一三极管、第二三极管、第一电阻和第二电阻;

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