[发明专利]铝基板去膜浓缩液及其制备方法和使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及铝基板制造技术领域，具体涉及一种铝基板专用去膜浓缩液 及其制备方法和使用方法。

背景技术

1969年日本三洋公司发明了铝基覆铜板(以下简称铝基板)制造技术， 并于1974年用于STK系列大功率放大混合集成电路。铝基板是一种具有良 好散热功能的金属基覆铜板，一般单面板由三层结构所组成，分别是电路层 (铜箔)、绝缘层和金属基层。用于高端使用的也有设计为双面板，结构为电 路层、绝缘层、铝基、绝缘层、电路层。极少数应用为多层板，可以由普通 的多层板与绝缘层、铝基贴合而成。

由于铝基板具有优异的电气性能、散热性、电磁屏蔽性、高耐压及弯曲 加工等性能，因而被广泛应用于大功率LED照明、电源、汽车、电脑、航空 电子、医疗等相关行业，铝基覆铜板(即铝基板)在世界范围内掀起了研发 和生产的热潮，出现了大批有代表性的金属基板厂家，如日本住友、日本松 下电工、美国贝格斯公司等。

在铝基板的制作过程中，线路图形的转移是必须的步骤。在实现线路图 形转移，光致抗蚀剂的使用起着至关重要的作用。随着技术的发展，光致抗 蚀干膜由于其有良好的工艺性能、优良的成像性和耐化学药品的性能，进而 逐步取代了光致抗蚀剂，应用于线路转移中。光致抗蚀干膜主要由保护膜、 光致抗蚀剂膜、载体聚酯薄膜组成。但是在“成像”完成后，光致抗蚀剂膜 能否顺利完全去除，又会直接影响着蚀刻等后工序。

常规技术中一般使用无机碱溶液作为退膜剂，如：NaOH、KOH的3-4％ 的水溶液等，但它存在以下缺点：一是会攻击锡、铜镀层，使之变色，沾污 金面等；二是在精细线路退膜过程中造成锡迁移，蚀刻时有残铜，致使线路 间短路，成品合格率低；三是氢氧化纳退膜时产生的膜渣过大，难于过滤， 不适合机退，退膜效率较低；四是干膜中光致抗蚀剂聚合物因使用氢氧化钠 而溶入废退膜液，造成废液难于处理，污染环境等问题；五是退膜时需另行 添加丁基溶纤素(ButylCellusolove，BCS)或是三乙醇胺等助剂，以改善其对 干膜的溶解性能，提高退膜效果，而丁基溶纤素类为毒性较高物质。

因而生产出一种能高效剥离铝基板上光致抗蚀剂膜且不会影响退膜后基 材的质地的去膜液，成为铝基板制造行业的迫切需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种铝基板去膜浓缩液及其制备方法和使用方法， 以解决现有技术中的铝基板退膜后基材变色变黑，影响基材质地的问题。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：

本发明提供一种铝基板去膜浓缩液，包括按重量份计的以下组分：有机 碱30-50份；螯合剂5-10份；防腐剂0.1-2.0份；光亮剂0.1-0.5份；表面 活性剂0.1-0.5份；去离子水36-65份。

优选地，所述有机碱是具有化学通式R-NH2的有机胺中的至少一种，R 是烷基、羟基烷基或氨基烷基。

优选地，所述有机碱选自于：一乙醇胺、二乙胺、正丙胺、1,4-丁二胺 中的至少一种。

优选地，所述螯合剂选自于：柠檬酸钠、酒石酸钾钠、EDTA-4Na中的 至少一种。

优选地，所述防腐剂选自于：甲基苯并三氮唑、亚硝酸钠、苯酚、2-疏 基苯并噻唑、5-甲基苯并三氮唑、5-羧基苯并三唑、咪唑、氨基三唑、甲基 咪唑、苯并咪唑、环烷酸咪唑啉中的至少一种。

优选地，所述光亮剂选自于：钼酸钠、尿素、硫脲中的至少一种。

优选地，所述表面活性剂选自于：季戊四醇、三乙醇胺油酸皂、曲拉通、 司盘、吐温中的至少一种。

本发明还提供一种上述铝基板去膜浓缩液的配制方法，包括以下步骤：

S1，分别称取上述有机碱、螯合剂、防腐剂、光亮剂、表面活性剂、去 离子水；

S2，将上述称取的有机碱、螯合剂、光亮剂与去离子水在室温条件下混 合，搅拌均匀得到混合液；

S3，依次将步骤S1中称取的防腐剂和表面活性剂添加到步骤S2所述混 合液中，搅拌均匀后即得到所述铝基板去膜浓缩液。

本发明还提供一种上述铝基板去膜浓缩液的使用方法，使用前用水将所 述铝基板去膜浓缩液稀释，所述铝基板去膜浓缩液与水的质量比为1:5-10。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：