[发明专利]一种化学机械研磨缺陷检测方法

权利要求书

1.一种化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

提取CMP工艺前的材料结构信息；

确定CMP相关工艺参数；

建立符合CMP去除机理的CMP预测模型；

进行CMP缺陷检测版图设计，确定CMP工艺缺陷产生条件。

2.根据权利要求1所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述材料结构信息具体包括不同材料的厚度。

3.根据权利要求2所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述CMP相关工艺参数包括：压力P₀、CMP运行时间、不同材料的去除速率MRR、以及研磨垫与晶圆的相对移动速度V。

4.根据权利要求3所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述建立符合CMP去除机理的CMP预测模型具体包括：

建立材料去除模型；

确定所述去除模型表面的压力分布；

根据所述材料结构信息、所述去除模型表面的压力分布、以及CMP运行时间确定在不同阶段的不同材料去除情况；

根据所述不同材料去除情况，计算CMP后的蝶形缺陷。

5.根据权利要求4所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述进行CMP缺陷检测版图设计，确定CMP工艺缺陷产生条件具体包括：

设定左下角的起始网格线宽W₁₁和间距S₁₁；

确定网格最大线宽W_T、网格最大间距S_T；

设定相邻网格线宽增长步长ΔW、相邻网格间距增长步长ΔS；

生成CMP缺陷检测版图，利用所述CMP预测模型运算所述CMP缺陷检测版图，得出较大蝶形缺陷，从而确定CMP工艺缺陷产生条件。

6.根据权利要求5所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述CMP缺陷检测版图的总网格数为：

7.根据权利要求6所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述利用所述CMP预测模型运算所述CMP缺陷检测版图，得出较大蝶形缺陷具体包括：

由CMP缺陷检测版图的线宽W与间距S确定去除模型表面的压力分布，再根据所述材料结构信息、去除模型表面的压力分布、以及CMP运行时间确定在不同阶段的不同材料的去除情况，根据所述不同材料去除情况计算得出较大蝶形缺陷。

8.根据权利要求7所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述CMP工艺缺陷产生条件为在所述较大蝶形缺陷下，临界区域的线宽W_L值和临界区域的间距S_L值。

9.根据权利要求1至8任一项所述的化学机械研磨缺陷检测方法，其特征在于，所述方法还包括：

将所述CMP工艺缺陷产生条件加入版图设计规则。