[发明专利]阵列基板、液晶显示面板及液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：

衬底基材；

栅极，形成于所述衬底基材上；

栅极绝缘层，形成于所述衬底基材上并覆盖所述栅极；

主动层，形成于所述栅极绝缘层上且位于所述栅极的上方，所述主 动层背向所述栅极的一侧形成有沟道，其中所述主动层在所述衬底基材 上的正投影覆盖所述栅极及其两侧的衬底基材，且所述沟道在所述衬底 基材上的正投影位于所述栅极所在区域之内；

源极和漏极，形成于所述主动层上且分别位于所述主动层的两端。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述主动层包括 依次形成于所述栅极绝缘层上的多晶硅半导体层、欧姆接触层，所述多 晶硅半导体层背向所述栅极的一侧形成有所述沟道，所述欧姆接触层形 成有位于所述沟道上方且与所述沟道相通的狭缝。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极在所述 衬底基材上的正投影与所述栅极部分重叠，所述漏极在所述衬底基材上 的正投影与所述栅极无重叠。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极在所述 衬底基材上的正投影与所述栅极部分重叠，所述源极在所述衬底基材上 的正投影与所述栅极无重叠。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述源极和所述 漏极在所述衬底基材上的正投影与所述栅极无重叠。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还 包括：

平坦钝化层，形成于所述源极、所述漏极以及所述主动层上，所述 平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔；

像素电极，形成于所述平坦钝化层上以及所述接触孔内，所述像素 电极通过所述接触孔与所述漏极电连接。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还 包括：

平坦钝化层，形成于所述源极、所述漏极以及所述主动层上，所述 平坦钝化层形成有暴露漏极的表面的接触孔；

公共电极，形成于所述平坦钝化层上；

绝缘层，形成于所述公共电极上；

像素电极，形成于所述绝缘层和所述平坦钝化层上以及所述接触孔 内，所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极电连接。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还 包括：

保护层，形成于所述主动层的沟道上，所述保护层的表面包括Al₂O₃层，所述Al₂O₃层由采用磁控溅射法形成的Al层在氧气浓度高于21％的 氛围中以300～400℃的温度进行热退火处理制得。

9.一种液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板包括相对间 隔设置的第一基板和第二基板，以及填充于所述第一基板和所述第二基 板之间的液晶，其中，所述第一基板和所述第二基板中的一者包括上述 权利要求1-8任意一项所述的阵列基板。

10.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括液晶 显示面板以及为所述液晶显示面板提供光线的背光模组，其特征在于， 所述液晶显示面板包括权利要求9所述的液晶显示面板。