[发明专利]一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法

权利要求书

1.一种单层或少层二硫化钼纳米材料的制备方法，其特征在于：该方法先将二硫化钼粉末加入分层溶液中进行分层反应，形成混合液；

然后在混合液中加入氧化剂进行氧化插层反应，过滤干燥后得到插层二硫化钼粉末；

最后向插层二硫化钼粉末中加入爆炸剂进行爆炸反应，冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到单层或少层二硫化钼纳米材料。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的分层溶液为芳香族硫醚的乙醇溶液；所述的氧化剂为高锰酸钾；所述的爆炸剂为苦味酸。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的芳香族硫醚为聚苯硫醚或芳香族二胺单体硫醚，芳香族硫醚的乙醇溶液的质量浓度为10％～60％。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的分层反应的具体过程为：将二硫化钼粉末研磨至200目过筛，将二硫化钼粉末加入芳香族硫醚的乙醇溶液中，加热至30～50℃并搅拌5～12h，形成混合液。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的二硫化钼粉末与芳香族硫醚的质量比为1:(10～40)。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的氧化插层反应的具体过程为：向混合液中加入高锰酸钾，加热至50～90℃并搅拌8～18h，过滤，将滤饼烘干，得到插层二硫化钼粉末。

7.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的高锰酸钾与混合液中的二硫化钼的质量比为(0.5～3):1。

8.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的爆炸反应的具体过程为：将插层二硫化钼粉末与苦味酸混合均匀，装入高压反应釜中，将高压反应釜抽真空并通入氩气，加热至350～600℃发生爆炸，随炉冷却至室温后取出爆炸反应产物，即得到单层或少层二硫化钼纳米材料。

9.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的插层二硫化钼粉末与苦味酸的质量比1：(0.5～3)。