[发明专利]一种氟化亚锡的制备方法有效
申请号: | 201610143129.7 | 申请日: | 2016-03-14 |
公开(公告)号: | CN105800675B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 姜涛;张元波;李光辉;苏子键;刘兵兵;范晓慧;彭志伟;黄柱成;郭宇峰;杨永斌;李骞;陈许玲;甘敏;徐斌;张鑫;陈迎明;杜明辉;刘继成;欧阳学臻 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C01G19/04 | 分类号: | C01G19/04 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人: | 魏娟 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氟化 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种氟化亚锡的制备方法,属于氟化亚锡制备技术领域。
背景技术
氟化亚锡(SnF2)熔点215℃,沸点850℃,易溶于水和氢氟酸。氟化亚锡是一种优良的牙齿防蛀剂,因其可以有效阻止牙菌斑形成、抑制细菌新城代谢,可以有效防治牙斑病和牙龈炎;此外,氟化亚锡作为一种可溶性的氟盐,在治疗皮肤细菌、真菌感染方面有良好的疗效。因此,氟化亚锡常用于制备含氟牙膏、漱口水以及治疗皮肤过敏药物等领域。
目前氟化亚锡的制备方法主要包括以下几种:
(1)以氢氟酸和单质锡或者氧化亚锡为原料,在60~100℃的反应温度之下反应制备氟化亚锡,主要原理是2Sn+4HF+O2=2SnF2+2H2O,SnO+2HF=H2O+SnF2。但是采用氢氟酸制备氟化亚锡获得产品生产率低,且纯度不高,会参杂大量氟化锡等杂质,另外采用氢氟酸是剧毒物质,在生产过程中对设备腐蚀严重,对人健康有严重威胁。
(2)离子交换法,以氯化亚锡和氟化钠为原料,制备原理是SnCl2+2NaF=SnF2+2NaCl,该方法虽然操作简单,但是产品中残留的氟化钠难以脱除,氯化钠和氟化钠的残留也降低了氟化亚锡的使用效果和效率。
(3)单质置换法,以单质金属锡粉和氟化铜为原料,利用Sn和Cu的标准电极电位差(Sn2+/Sn=-0.136eV,Cu2+/Cu=-0.337eV),反应原理为Sn+CuF2=SnF2+Cu↓。该方法虽然操作简单且获得产品的纯度高,但是金属锡粉和氟化铜价格昂贵,并且对原料纯度和粒度要求较高。
综上所述,现有制备氟化亚锡普遍存在工艺复杂、成本高、产率低、产品纯度低等问题,因此开发一种高效环保、成本低的制备高纯度氟化亚锡单体的方法,有十分重要的意义。
发明内容
针对现有的制备氟化锡的方法存在的缺陷,本发明的目的是在于提供一种操作简便、高效环保、成本低制备高纯度氟化亚锡的方法。
为了实现上述技术目的,本发明提供了一种氟化亚锡的制备方法,该方法是将含二氧化锡物料、含氟化钙物料及羧甲基纤维素钠经过研磨粉碎、混合后,置于CO和CO2混合气氛中,于500℃~1000℃温度下焙烧,从焙烧烟气中回收氟化亚锡;所述的混合气氛中CO/(CO+CO2)的体积百分比浓度为5%~50%。
大量研究表明,SnO2本身化学性质稳定,很难与其他物质直接发生固相反应。本发明的技术方案主要利用一氧化碳及氢气等活性气体作用于SnO2成分,使SnO2的晶格参数发生变化,表面被活化,使SnO2与CaF2之间的化学反应变得容易,如SnO2+CaF2+CO(g)=SnF2(g)+CO2(g)+CaO可以顺利快速进行。同时充分利用SnF2熔沸点低,在高温条件下很容易以气态挥发,而在温度降低时,SnF2(g)就重新析出成固体粉末的特点,可以从焙烧尾气烟尘中分离回收高纯度的氟化亚锡产品。因此,本发明通过严格控制焙烧气氛及焙烧温度,能保证含二氧化锡物料和含氟化钙物料中的SnO2与CaF2顺利反应得到SnF2产品。而羧甲基纤维素钠可以在高温下裂解释放一氧化碳和氢气,能保证气氛中一氧化碳及氢气含量的稳定,有利于反应的顺利进行。
优选的方案,含二氧化锡物料中的二氧化锡、含氟化钙物料中的氟化钙与羧甲基纤维素钠的摩尔比为1:(1.0~1.2):(0.1~0.2);较优选为1:(1.05~1.10):(0.13~0.17)。
优选的方案,焙烧温度为750℃~900℃。焙烧时间一般与氟化亚锡的挥发率相关,适当延长时间,氟化亚锡的挥发率越高,一般焙烧时间优选在60~120min适宜。
优选的方案,混合气氛中CO/(CO+CO2)的体积百分比浓度为12%~20%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中南大学,未经中南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610143129.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:压缩设备
- 下一篇:一种带隙可调BeCdZnO化合物半导体材料及其制备方法