[发明专利]一种并联结构的LED芯片及其制造方法

说明书

本发明公开了一种并联结构的LED芯片及其制造方法，包括衬底、位于衬底上的外延结构及位于外延结构上的P电极和N电极，外延结构依次包括N型半导体层、发光层及P型半导体层，其特征在于，外延结构之间形成有若干隔离槽，外延结构由隔离槽隔离形成若干隔离区，隔离槽包括刻蚀至衬底的第一隔离槽及刻蚀至N型半导体层的第二隔离槽，第二隔离槽位于第一隔离槽围设的区域内，N电极位于第二隔离槽内且与每个隔离区中的N型半导体层分别电性连接，P电极位于第一隔离槽内且与每个隔离区中的P型半导体层分别电性连接。本发明通过并联结构能够使LED芯片的电流均匀分布，减少了电极及引脚对出光的吸收，增加侧壁的出光，提高了LED芯片的发光亮度。

技术领域

本发明涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种并联结构的LED芯片及其制造方法。

背景技术

发光二极管（Light-Emitting Diode，LED）是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低亮度的红光，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，亮度也提高到相当的亮度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛的应用于显示器、装饰和照明。

LED芯片结构目前分成正装、倒装、垂直三种结构，目前正装结构是使用最多的。对于正装结构的LED芯片，随着LED芯片尺寸变大，为了降低电压提升亮度，现有技术中通常通过电极引脚的增加来实现，但是增加的电极引脚不利于芯片出光，降低了LED的发光亮度。

因此，针对上述技术问题，有必要提供一种并联结构的LED芯片及其制造方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种并联结构的LED芯片及其制造方法，有效提高了LED芯片的发光亮度。

为了实现上述目的，本发明实施例提供的技术方案如下：

一种并联结构的LED芯片，所述LED芯片包括衬底、位于衬底上的外延结构及位于外延结构上的P电极和N电极，所述外延结构依次包括N型半导体层、发光层及P型半导体层，所述外延结构之间形成有若干隔离槽，外延结构由所述隔离槽隔离形成若干隔离区，所述隔离槽包括刻蚀至衬底的第一隔离槽及刻蚀至N型半导体层的第二隔离槽，所述第二隔离槽位于第一隔离槽围设的区域内，所述N电极位于所述第二隔离槽内且与每个隔离区中的N型半导体层分别电性连接，所述P电极位于第一隔离槽内且与每个隔离区中的P型半导体层分别电性连接。

作为本发明的进一步改进，所述外延结构还包括位于P型半导体层上的透明导电层，所述透明导电层的形状与P型半导体层的形状相同。

作为本发明的进一步改进，所述LED芯片中还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层位于第一隔离槽内，且所述P电极全部位于所述电流阻挡层上。

作为本发明的进一步改进，所述LED芯片还包括与所述N电极电性连接的第一焊盘以及与所述P电极电性连接的第二焊盘。

作为本发明的进一步改进，所述LED芯片还包括保护层，所述保护层至少覆盖所述隔离区，所述第一焊盘和第二焊盘位于保护层未覆盖的区域。

作为本发明的进一步改进，所述隔离区呈矩形阵列分布，第一隔离槽位于相邻行隔离区之间及LED芯片外侧区域，第二隔离槽位于相邻列隔离区之间。

相应地，一种并联结构的LED芯片的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

提供一衬底，在衬底上外延生长N型半导体层、发光层及P型半导体层，形成外延结构；

刻蚀外延结构至衬底表面，形成第一隔离槽，第一隔离槽将外延结构隔离形成若干行；

刻蚀外延结构至N型半导体层，形成第二隔离槽，第二隔离槽将外延结构隔离形成若干列，外延结构由第一隔离槽和第二隔离槽隔离形成若干隔离区；