[发明专利]FFS模式的阵列基板及制作方法

说明书

本发明提供一种FFS模式的阵列基板及制作方法，该FFS模式的阵列基板包括基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；第二绝缘层，其沉积于所述基层上，该第二绝缘层上形成有将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；像素电极层，其沉积于所述第二绝缘层上，所述像素电极层上设置有像素电极；源极以及漏极，该源极以及漏极设置于所述像素电极层之上；第三绝缘层，其设置于源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上。本发明具有缩短工艺流程、减少光罩次数的有益效果。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别是涉及一种曲面液晶显示面板及曲面液晶显示装置。

背景技术

有源矩阵驱动的LCD显示技术利用了液晶的双极性偏振特点，通过施加电场控制液晶分子的排列方向，实现对背光源光路行进方向的开关控制。根据对液晶分子施加电场方向的不同，可以将LCD显示模式分为TN系列模式,VA系列模式及IPS系列模式。VA系列模式指对液晶分子施加纵向电场，而IPS系列模式指对液晶分子施加横向电场。而在IPS系列模式中，对于施加横向电场的不同，又可分为IPS模式和FFS模式等。其中FFS显示模式的每一个像素单元含有上下两层电极，即像素电极和公共电极，且下层的公共电极采用开口区整面平铺的方式。FFS显示模式具有高透过率，广视角以及较低的色偏等优点，是一种广泛应用的LCD显示技术。

为了提高氧化物TFT的稳定性，刻蚀阻挡层(ESL)结构的TFT结构被广泛采用，该结构可以有效降低外界环境因素与源漏电极的刻蚀损伤对背沟道的影响。然而，ESL结构的传统FFS显示模式阵列基板制造方法需要更多的光罩次数，增加了工艺的复杂性以及生产成本。

发明内容

本发明的目的在于提供一种FFS模式的阵列基板及其制作方法；以解决现有技术中ESL结构的传统FFS显示模式阵列基板制造方法需要更多的光罩次数，增加了工艺的复杂性以及生产成本的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明实施例提供一种FFS模式的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

形成一基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；

在基层上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；

在第二绝缘层上沉积像素电极层，该像素电极层设置有多个像素电极区域，以及位于相邻两个像素电极区域之间的第一间隔区域；

在像素电极层上沉积第一金属层，该第一金属层设置有源极区域、漏极区域，以及位于源极区域和漏极区域之间的第二间隔区域；

在第一金属层上涂布第一光阻层，将第一光阻层上与第一间隔区域和第二间隔区域正对区域的光阻去除；

对第一金属层和像素电极层进行刻蚀，以在第一金属层的源极区域和漏极区域分别形成源极和漏极，在像素电极层的像素电极区域形成像素电极；

去除第一光阻层，并除去位于像素电极上的第一金属层；

在源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上沉积第三绝缘层。

在本发明所述的FFS模式的阵列基板的制作方法中，所述形成一基层的步骤包括：

在玻璃基板上形成栅极；

在玻璃基板以及栅极上依次沉积第一绝缘层以及半导体层，该半导体层设置有沟道区域、公共电极区域以及位于公共电极区域与沟道区域之间的第三间隔区域；

在该半导体层上涂布第二光阻层，将该第二光阻层上与所述第三间隔区域正对区域的光阻去除；

对所述半导体层进行刻蚀，以在半导体层的沟道区域形成所述沟道半导体层，在该半导体层的公共电极区域形成待掺杂半导体层；