[发明专利]五级衍射光栅结构及其制备方法、晶圆光刻对准方法有效
| 申请号： | 201610140129.1 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105607435B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张利斌;董立松;苏晓菁;韦亚一 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵秀芹,王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衍射 光栅 结构 及其 制备 方法 圆光 对准 | ||
1.一种五级衍射光栅结构，其特征在于，包括：
晶圆；
形成于所述晶圆上的光栅图形结构；
其中，所述光栅图形结构由一个光栅精细结构单元组成或者由多个光栅精细结构单元循环排列组成，所述光栅精细结构单元的宽度为一个光栅周期，所述光栅精细结构单元在宽度方向上等分为20个区域，所述20个区域的每个区域上设置有第一图形结构1st或第二图形结构2nd；
所述第一图形结构1st和第二图形结构2nd在光栅图形结构的宽度方向上按照不同顺序排列形成不同的光栅精细结构单元，所述光栅精细结构单元为第一光栅精细结构单元、第二光栅精细结构单元或第三光栅精细结构单元；
所述第一光栅精细结构单元的结构为：{1st 1st 1st 1st 1st 1st 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd 2nd 2nd 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd}；
所述第二光栅精细结构单元的结构为：{1st 1st 1st 1st 1st 1st 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd 1st 2nd 2nd 2nd 1st 1st 2nd 1st}；
所述第三光栅精细结构单元的结构为：{1st 1st 1st 1st 1st 1st 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd 1st 2nd 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd}；
其中，第一图形结构1st和第二图形结构2nd在同一近邻高度位置下的光学相位相差π。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述晶圆为空白晶圆或者已经制作好前层图形的晶圆。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述光栅周期为16微米或者17.6微米。
4.根据权利要求1-3任一项所述的结构，其特征在于，所述结构还包括：
覆盖在所述光栅图形结构上的至少一层材料层。
5.一种五级衍射光栅结构的制备方法，其特征在于，包括：
提供晶圆；
对所述晶圆进行光刻和刻蚀，以在所述晶圆上形成光栅图形结构；
其中，所述光栅图形结构由一个光栅精细结构单元组成或者由多个光栅精细结构单元循环排列组成，所述光栅精细结构单元的宽度为一个光栅周期，所述光栅精细结构单元在宽度方向上等分为20个区域，所述20个区域的每个区域上分别设置有第一图形结构1st或第二图形结构2nd；
所述第一图形结构1st和第二图形结构2nd在光栅图形结构的宽度方向上按照不同顺序排列形成不同的光栅精细结构单元，所述光栅精细结构单元为第一光栅精细结构单元、第二光栅精细结构单元或第三光栅精细结构单元；
所述第一光栅精细结构单元的结构为：{1st 1st 1st 1st 1st 1st 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd 2nd 2nd 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd}；
所述第二光栅精细结构单元的结构为：{1st 1st 1st 1st 1st 1st 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd 1st 2nd 2nd 2nd 1st 1st 2nd 1st}；
所述第三光栅精细结构单元的结构为：{1st 1st 1st 1st 1st 1st 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd 1st 2nd 2nd 2nd 1st 1st 2nd 2nd}；
其中，第一图形结构1st和第二图形结构2nd在同一近邻高度位置下的光学相位相差π。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述晶圆为空白晶圆或者已经制作好前层图形的晶圆。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述光栅周期为16微米或者17.6微米。
8.根据权利要求5-7任一项所述的方法 ，其特征在于，所述方法还包括：
在所述光栅图形结构上覆盖至少一层材料层。
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