[发明专利]一种基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610140020.8 申请日: 2016-03-11
公开(公告)号: CN105652355B 公开(公告)日: 2018-02-23
发明(设计)人: 何泊衢;胡梦云;南君义;曾和平 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙)31257 代理人: 董红曼
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 脉冲 偏振 旋转 等离子体 光栅 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:将线偏振的飞秒激光分成能量相等的第一脉冲和第二脉冲;

步骤2:所述第一脉冲透过半波片,通过旋转所述半波片的光轴,使所述第一脉冲的偏振方向与水平方向形成第一夹角;

步骤3:所述第一脉冲透过多阶波片,所述多阶波片的快轴与水平方向成第二夹角,所述第一脉冲投影到水平和垂直方向的子脉冲之间产生了延时;

步骤4:所述第一脉冲透过Berek相位补偿片,通过转动所述Berek相位补偿片的方向调节圈使得所述Berek相位补偿片的快轴与水平方向成所述第二夹角,通过转动所述Berek相位补偿片的延时调节圈改变两个所述子脉冲之间的相位差;

步骤5:将所述第一脉冲通过聚焦透镜进行聚焦,并与所述第二脉冲以第三夹角进行重合,通过调节第一脉冲与第二脉冲的相对延时,在时间重合处得到等离子体光栅。

2.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述第一脉冲的波长范围在200nm到1600nm之间。

3.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述半波片的工作波长范围在200nm到1600nm之间。

4.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述多阶波片的工作波长范围在200nm到1600nm之间。

5.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述延时与所述多阶波片的厚度成正相关。

6.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述第一夹角与第二夹角之和为45度,经过所述多阶波片的第一脉冲的快轴与慢轴成45度。

7.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述子脉冲之间的延时为所述第一脉冲的半高全宽宽度。

8.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述Berek相位补偿片工作波长范围在200nm到1600nm之间,在300nm调节相位范围是0到5.8π,在1600nm调节相位范围为0到π。

9.如权利要求1所述的基于脉冲偏振旋转的等离子体光栅的制备方法,其特征在于,所述步骤5中利用机械延时线调节第一脉冲与第二脉冲的相对延时。

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