[发明专利]灵敏放大电路及存储器

说明书

一种灵敏放大电路及存储器，灵敏放大电路包括：参考电流产生电路，用于生成参考电流，所述参考电流产生电路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极耦接电源，其漏极输出所述参考电流；第一预充电电路，适于利用所述参考电流对参考单元位线进行预充电；比较电路，其输入端耦接所述第一PMOS管的栅极以获取所述参考电流，所述比较电路适于将存储单元位线的电流与获取到的所述参考电流进行比较，并输出对应的逻辑结果；偏置电路，适于抬升所述第一PMOS管的漏极电压，以使所述第一PMOS管工作在饱和区。本发明技术方案提高了存储器读操作时的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体存储电路技术领域，特别是涉及一种灵敏放大电路及存储器。

背景技术

闪存(Flash)是现代集成电路设计必不可少的部分，随着工艺的发展以及移动互联、智能手机等新型产业的兴起，Flash以其读取速度快、功耗低等优点在市场中占据着重要地位。Flash的读写控制是通过对半导体存储器单元位线上的信号采样，通过电平比较后进行判断，在放大后得到高、低电平，即逻辑状态的“1”或“0”的信号。灵敏放大电路主要是在存储器的读操作周期中，给存储器的漏极即位线(BL)施加电压，从而读出存储器的电流信息，并将读出电流与基准电流进行比较，然后通过负阻等结构迅速放大成为电压信号。

图1是现有技术一种灵敏放大电路的结构示意图。该电路的工作原理如下：工作时，MOS管M3的源极耦接电源VDD，MOS管M3的漏极电流经由MOS管M0、MOS管M1和MOS管M2对参考单元位线BL充电，将参考单元位线BL预充到设定值；参考电流I_ref流入比较电路，并和存储单元电流进行比较，参考电流I_ref和存储单元电流之间的微小电流差，可以使比较电路中的相应电位产生变化，并根据电位的变化输出逻辑的“1”或“0”信号。

但是，现有技术的灵敏放大电路在低电源电压条件下，参考单元位线电压达不到设定值，参考位线电压过低；且存储单元位线电压高于参考位线电压，参考电流I_ref过低，导致在读逻辑0信号时，读操作的准确性低。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何提高存储器读操作时的准确性。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种灵敏放大电路，所述灵敏放大电路包括：

参考电流产生电路，用于生成参考电流，所述参考电流产生电路包括第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极耦接电源，其漏极输出所述参考电流；第一预充电电路，适于利用所述参考电流对参考单元位线进行预充电；比较电路，其输入端耦接所述第一PMOS管的栅极以获取所述参考电流，所述比较电路适于将存储单元位线的电流与获取到的所述参考电流进行比较，并输出对应的逻辑结果；偏置电路，适于抬升所述第一PMOS管的漏极电压，以使所述第一PMOS管工作在饱和区。

可选的，所述偏置电路将所述第一PMOS管的漏极电压抬升至高于所述第一PMOS管的栅极电压。

可选的，所述偏置电路包括MOS管和电阻；其中，所述MOS管的漏极耦接电源，其栅极耦接所述第一PMOS管的漏极；所述电阻一端耦接所述MOS管的源极以及所述比较电路的输入端，另一端接地。

可选的，所述偏置电路还包括第一电容；所述第一电容一端耦接所述比较电路的输入端和所述MOS管的源极，另一端接地。

可选的，所述MOS管为ZMOS管。