[发明专利]图像拾取设备以及图像拾取系统

权利要求书

1.一种光电转换设备，包括：

多个光电转换单元，每一光电转换单元包括由单一微透镜聚焦的光入射到其上的多个光电转换元件，

其中，所述多个光电转换元件中的每一个都包括收集信号载流子的第一导电类型的第一半导体区域，

其中，光电转换单元中的每一个中所包括的并且彼此相邻设置的光电转换元件中所包括的所述第一半导体区域夹有第二导电类型的第二半导体区域，第二半导体区域包括第一部分和杂质浓度比第一部分的杂质浓度高的第二部分，以及

其中，第二半导体区域的第一部分的杂质浓度低于第一导电类型的每个第一半导体区域和溢漏区域之间的区域的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的光电转换设备，

其中，所述第一导电类型的所述每个第一半导体区域和所述溢漏区域之间的所述区域是所述第二导电类型的第三半导体区域。

3.如权利要求1所述的光电转换设备，

其中，所述溢漏区域是被设置在所述第一半导体区域的垂直方向中的所述第一导电类型的半导体区域。

4.如权利要求3所述的光电转换设备，

其中，所述第一导电类型的所述半导体区域是所述第一导电类型的半导体衬底。

5.如权利要求1所述的光电转换设备，

其中，所述溢漏区域是被设置在所述第一半导体区域的横向方向中的所述第一导电类型的半导体区域。

6.如权利要求5所述的光电转换设备，

其中，所述第一导电类型的所述半导体区域是每个所述光电转换单元所包括的所述第一导电类型的晶体管的源极区或漏极区。

7.如权利要求2所述的光电转换设备，

其中，所述第三半导体区域的杂质浓度至少是所述第一部分的杂质浓度的三倍。

8.如权利要求7所述的光电转换设备，

其中，所述第三半导体区域的所述杂质浓度至少是所述第一部分的所述杂质浓度的十倍。

9.如权利要求1所述的光电转换设备，

其中，当在平面图中看时所述第一部分的宽度小于当在平面图中看时所述第二部分的宽度。

10.如权利要求9所述的光电转换设备，

其中，所述第一部分设置在不同于设置所述第二部分的深度的深度。

11.如权利要求9所述的光电转换设备，

其中，所述第一部分的杂质浓度峰的深度不同于所述第一半导体区域的杂质浓度峰的深度。

12.根据权利要求1所述的光电转换设备，

其中，在彼此相邻设置的不同的光电转换单元中所包括的相邻的光电转换元件中所包括的第一半导体区域之间提供了所述第二导电类型的第四半导体区域，并且在所述第二半导体区域的至少第一部分中所生成的势垒的高度小于在所述第四半导体区域中所生成的势垒的高度。

13.如权利要求12所述的光电转换设备，

其中，所述第一导电类型的所述每个第一半导体区域和所述溢漏区域之间的所述区域是所述第二导电类型的第三半导体区域，以及

其中，所述第四半导体区域中所生成的所述势垒的所述高度大于在第三半导体区域中所生成的势垒的高度。

14.一种图像拾取系统，包括：

如权利要求1所述的光电转换设备，

其中，图像的捕捉是使用通过将所述多个光电转换单元中所包括的所述多个光电转换元件的信号相加所获得的信号来执行的，以及

其中，所述图像的所述捕捉过程中的焦点检测是使用所述多个光电转换单元中所包括的所述多个光电转换元件的所述信号中的至少一个来执行的。

15.如权利要求14所述的图像拾取系统，

其中，当所述多个光电转换单元中的一个或多个光电转换元件累积的电荷量超出时，所述焦点检测被停止。