[发明专利]一种基于三维掺氮石墨烯/二硫化钼的γ‑干扰素适体电极及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种基于三维掺氮石墨烯/二硫化钼的γ-干扰素适体电极的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料的制备；

2)辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料的制备

称取适量三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料加入二次水中，超声共振一段时间后，加入辣根过氧化物酶，冰水浴搅拌，得到辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料，过滤后，将辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料分散在水中保存；

3)辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料适体修饰电极的制备

玻碳电极预处理后，将步骤2)中得到的辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料滴涂在玻碳电极表面，制得辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼/裸玻碳修饰电极；

将制备的辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼/裸玻碳修饰电极浸在γ-干扰素适体ssDNA中进行培育，封闭电极，制得γ-干扰素电化学适体修饰电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤2)中，三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料、辣根过氧化物酶和水加入的重量比为：1-3:4-12:1-3；

或步骤2)中，超声共振的时间为1-3h；

或步骤2)中，所述辣根过氧化物酶的浓度为2-6mg/mL；

或步骤2)中，冰水浴搅拌的时间为4-10h；

或步骤2)中，辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料的保存温度为4℃；辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料分散在水中的浓度为8-12mg/mL。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3)中，辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料滴加到电极表面的体积为5-9μL；

或步骤3)中，所述ssDNA溶液的浓度为0.08-0.12mM；

或电极在ssDNA溶液中浸泡的时间为1-3h。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3)中，封闭电极的方法为：将浸泡过ssDNA的电极在0.8-1.5mM 6-巯基-1-己醇溶液中浸泡0.5-1.5h，避光放置1h，将电极再次用二次水和PBS清洗，制得γ-干扰素电化学适体电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：清洗的方法，包括如下步骤：依次用100mM PBS、二次水和100mM PBS清洗。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤3)中，裸玻碳电极的预处理方法，包括如下步骤：用Al₂O₃粉将电极表面打磨成镜面，清洗后，相继在二次水和乙醇溶液中超声30s，将清洗干净的电极在0.5M的硫酸溶液中循环伏安至稳定，二次水冲洗干净后，室温晾干。

7.权利要求1-6任一所述方法制备得到的辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料适体修饰电极。

8.权利要求7所述辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料适体修饰电极在检测γ-干扰素中的应用。

9.权利要求7所述辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料适体修饰电极对γ-干扰素的检测方法，包括如下步骤：

1)配制不同浓度的干扰素标准溶液；

2)将制备的辣根过氧化物酶/三维掺氮石墨烯/二硫化钼复合材料适体修饰电极浸在步骤1)中制备的γ-干扰素的溶液中，36-38℃下静置0.8-1.2h，清洗后，得到组装的工作电极；

3)绘制工作曲线；

4)实际样品的检测。

10.根据权利要求9所述的检测方法，其特征在于：步骤3)中，电解槽中PBS的浓度为100mM，亚甲基蓝的浓度为0.1mM，H₂O₂的浓度为2mM。