[发明专利]一种半极性AlN模板有效
| 申请号： | 201610137669.4 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN107180884B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 张纪才;刘婷;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0392 | 分类号： | H01L31/0392;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 aln 模板 | ||
1.一种半极性AlN模板，其特征在于，所述半极性AlN模板具有半极性显露面，同时，所述半极性AlN模板包括：形成于AlN基材显露面上的孪晶结构或孪晶结构，所述AlN基材为[0001]取向的，且显露面为或以及，形成于所述孪晶结构或孪晶结构上的、取向的AlN材料。
2.根据权利要求1所述的半极性AlN模板，其特征在于：所述AlN基材形成于衬底上。
3.根据权利要求2所述的半极性AlN模板，其特征在于：所述衬底包括蓝宝石衬底。
4.根据权利要求3所述的半极性AlN模板，其特征在于：所述蓝宝石衬底包括c面蓝宝石。
5.根据权利要求2所述的半极性AlN模板，其特征在于：所述衬底包括SiC衬底。
6.根据权利要求1所述的半极性AlN模板，其特征在于：所述孪晶结构或孪晶结构与AlN基材之间形成有锯齿状界面。
7.根据权利要求1所述的半极性AlN模板，其特征在于：所述AlN基材的截面为等腰三角形，当所述三角形的底角为51°～71°时，在三角形的腰部形成孪晶结构。
8.根据权利要求1所述的半极性AlN模板，其特征在于：所述AlN基材的截面为等腰三角形，当所述三角形的底角为22°～42°时，在三角形的腰部形成孪晶结构。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的半极性AlN模板，其特征在于所述半极性AlN模板的制备方法包括：
在衬底上生长形成[0001]取向的AlN基材，并使所述AlN基材的显露面为或
在所述AlN基材上继续生长AlN，并形成孪晶结构或孪晶结构，使AlN的生长取向转变为从而获得所述半极性AlN模板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
