[发明专利]一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件

权利要求书

1.一种由反偏二极管触发的双向可控硅器件，包括：

P型半导体衬底、形成于P型半导体衬底上的BN+埋层以及形成于BN+埋层上的高压N阱，所述的高压N阱内从左到右依次设有第一P-body区、第一P-base区、第二P-base区、第二P-body区；

第一P-body区内横向从左到右依次设有第一P+注入区、第一N+注入区，纵向设有第五P+注入区与第一N+注入区交替分布；

第一P-base区内设有第二环形P+注入区、第二N+注入区，其中第二N+注入区被第二环形P+注入区包围；

第二P-base区内设有第三环形P+注入区、第三N+注入区，其中第三N+注入区被第三环形P+注入区包围；

第二P-body区内横向从左到右依次设有第四N+注入区、第四P+注入区，纵向设有第六P+注入区与第四N+注入区交替分布；

所述第一P+注入区、第一N+注入区连接阳极，第四N+注入区和第四P+注入区连接阴极，正向路径的第二环形P+注入区、第三环形P+注入区、第五P+注入区通过导线Z连接；反向路径的第二环形P+注入区、第三环形P+注入区、第六P+注入区通过导线X连接；正向路径的第二N+注入区、第三N+注入区与反向路径的第二N+注入区、第三N+注入区通过导线Y连接。

2.如权利要求1所述的由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其特征在于，所述半导体衬底接地。

3.如权利要求1所述的由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其特征在于，第二环形P+注入区、第二N+注入区，第三环形P+注入区、第三N+注入区均存在间距分布。

4.如权利要求1所述的由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其特征在于，第五P+注入区与第一N+注入区按照比例交替且无间距相邻分布。

5.如权利要求1所述的由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其特征在于，第六P+注入区与第四N+注入区按照比例交替且无间距相邻分布。

6.如权利要求3所述的由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其特征在于，第五P+注入区、第一N+注入区均与第一P+注入区存在间距分布。

7.如权利要求4所述的由反偏二极管触发的双向可控硅器件，其特征在于，第六P+注入区、第四N+注入区均与第四P+注入区存在间距分布。