[发明专利]一种太赫兹磁辐射源

权利要求书

1.一种太赫兹磁辐射源，其特征在于，包括：

用于产生电子注的电子枪；

电子注收集极，设置于所述电子枪的正对位置，用于接收所述电子枪发射的电子注；

第一慢波结构，设置于所述电子枪和所述电子注收集极之间，所述电子注与所述第一慢波结构相互作用产生群聚，所述第一慢波结构对所述电子注进行速度和频率调制，形成初始电子团串；

漂移段，设置于所述第一慢波结构与所述电子注收集极之间，用于对所述初始电子团串进一步群聚形成调制后的电子团串；

第二慢波结构，设置于所述漂移段与所述电子注收集极之间，所述调制后的电子团串与所述第二慢波结构相互作用，产生电磁振荡；

其中，所述电磁振荡的频率为所述第一慢波结构对所述电子注进行调制时的调制频率的整数倍。

2.根据权利要求1所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述第一慢波结构包括光栅结构和平板，所述平板设置于光栅结构的正对位置，且与所述光栅结构的沟槽开口平行。

3.根据权利要求2所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述光栅结构为周期性结构。

4.根据权利要求3所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述光栅结构为矩形光栅结构或正弦光栅结构。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述第二慢波结构的形状与所述第一慢波结构的形状相同。

6.根据权利要求5所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述第一慢波结构与所述第二慢波结构均为矩形光栅结构的矩形波导。

7.根据权利要求6所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述第一慢波结构的光栅结构表面到第一慢波结构的平板的距离为0.6mm，第一慢波结构的光栅结构周期为0.2mm，第一慢波结构的光栅结构沿电子枪指向电子注收集极方向上的沟槽开口宽度为0.1mm，第一慢波结构的光栅结构的沟槽深度为0.5mm，第一慢波结构的宽度为1.2mm；所述第二慢波结构的光栅结构表面到第二慢波结构的平板的距离为0.2mm，第二慢波结构的光栅结构周期为0.1mm，第二慢波结构的光栅结构沿电子枪指向电子注收集极方向上的沟槽开口宽度为0.05mm，第二慢波结构的光栅结构的沟槽深度为0.16mm，第二慢波结构的宽度为0.4mm。

8.根据权利要求2所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述电子注的形状为带状。

9.根据权利要求8所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述电子注的截面尺寸为0.3mm*0.1mm，其中0.3mm为在所述电子注截面平面内平行于所述平板方向的尺寸，0.1mm为在所述电子注截面平面内垂直于所述平板方向的尺寸。

10.根据权利要求1所述的太赫兹磁辐射源，其特征在于，所述漂移段为矩形波导，所述漂移段沿电子枪指向电子注收集极方向上的长度为2mm。