[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有鳍部；

形成横跨所述鳍部的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅电极；

在所述半导体衬底和鳍部上形成覆盖所述伪栅介质层和伪栅电极的侧壁的层间介质层；

去除所述伪栅电极，形成开口；

形成所述开口后，依次进行紫外线固化处理和氟气氛退火处理，以在所述紫外线固化处理中，将所述伪栅介质层与鳍部的界面存在的硅-氢键打断，在伪栅介质层与鳍部的界面形成悬挂键，且在氟气氛退火处理中，使氟与所述悬挂键结合形成稳定的氟化物化学键，并避免氟和鳍部反应形成稳定的配位化合物。

2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述紫外线固化处理的工艺参数为：固化温度为350摄氏度～850摄氏度，紫外光源功率为1mW/cm²～200mW/cm²，固化时间为20min～200min。

3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述氟气氛退火处理的工艺参数为：采用的气体为F₂，温度为350摄氏度～800摄氏度，腔室压强为5E5帕～20E5帕，时间为5min～100min。

4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除所述伪栅电极的工艺为干刻工艺或湿刻工艺。

5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述层间介质层的材料为氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅。

6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：

在鳍部两侧的半导体衬底上形成隔离结构；

在半导体衬底和隔离结构上形成横跨所述鳍部的伪栅极结构。

7.根据权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述隔离结构的材料为氧化硅或氮氧化硅。

8.根据权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述隔离结构的步骤为：

采用流体化学气相沉积工艺、等离子体化学气相沉积工艺、亚常压化学气相沉积工艺或低压化学气相沉积工艺形成覆盖半导体衬底和鳍部的隔离结构；

依次采用平坦化工艺、回刻蚀工艺处理所述隔离结构，使所述隔离结构的表面低于鳍部的顶部表面。

9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，进行氟气氛退火处理后，还包括：去除所述伪栅介质层后，在所述开口中形成金属栅极结构。

10.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，在形成所述层间介质层之前，还包括：在所述伪栅介质层和伪栅电极的两侧的鳍部中形成源漏区。