[发明专利]应用于TEM进行原位电化学反应测量的芯片

权利要求书

1.一种应用于TEM进行原位电化学反应测量的芯片，其特征在于包括基底以及设置于基底上端面的第一电极和第二电极，所述第一电极具有开口部，所述第二电极整体分布于所述开口部内，且所述第二电极与第一电极之间无直接接触，所述第二电极一端部具有一个以上垂直贯穿所述第二电极的观测窗口，所述观测窗口具有梯形截面，其内壁与水平面的夹角为20～70°。

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于包括形成在所述基底上的电极层，所述电极层包括所述第一电极和第二电极。

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于：所述电极层与所述基底之间还分布有绝缘层。

4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述第二电极具有1～500个观测窗口。

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于：所述第二电极具有两个以上观测窗口。

6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：在所述开口部内，所述第二电极的外周缘部与所述开口部的内周缘部之间的距离为1～3000μm。

7.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述基底包括P型、N型或本征硅片。

8.根据权利要求3所述的芯片，其特征在于：所述绝缘层的材质包括氧化硅、氮化硅或氧化铝。