[发明专利]一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法在审

专利信息
申请号: 201610129276.9 申请日: 2016-03-08
公开(公告)号: CN105586638A 公开(公告)日: 2016-05-18
发明(设计)人: 田甜;刘文斌;李雨萌;徐家跃;储耀卿;雷云;周鼎;申慧 申请(专利权)人: 上海应用技术学院
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B28/02;C30B11/14;C30B33/02
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 铌酸钾铅 压电 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法,其特征在于包括如下步骤:

1)一个合成原料块的步骤:称量PbO,在550~650℃的空气气氛中干燥1~3小时;待自然 冷却到室温后取出PbO,充分研磨后,再将粉末置于550~650℃的空气气氛中干燥1~3小时; 然后将干燥的PbO粉末、K2CO3和Nb2O5按摩尔质量比4:1:5称量,在无水酒精环境下充分研 磨,使粉体混合均匀,将得到的粉末放入刚玉坩埚中,置于马弗炉内,在1100~1300℃的空气 气氛中灼烧5~15h,第一次烧结结束后,待多晶料自然冷却到室温后取出,进行充分研磨后, 再将粉末置于马弗炉内,在1100~1300℃的空气气氛中灼烧5~15小时,第二次烧结后,降至 室温,得到铌酸钾铅多晶料;将多晶料粉在水压或静压机上压成致密的块状,即得原料块;

2)一个晶体生长的步骤:选择不同取向的铌酸钾铅单晶作为籽晶,将籽晶装入坩埚底 部的种井部位,然后将原料块装入坩埚,调整位置,使原料块处于炉膛内高温区,炉温控制 在1360~1390℃,保持固液界面温度梯度为6~10℃/cm,保温3~7小时使铌酸钾铅多晶料原料 块充分熔融,以速率为0.2~0.5mm/h开始下降坩埚;

3)一个退火处理的步骤:待原料全部结晶后,使坩埚处于炉膛恒温区,在1000~1200℃ 下保温15~16h,然后以30~50℃/h速率缓慢降温至室温,取出晶体,即可得到浅黄色铌酸钾 铅压电单晶。

2.如权利要求1所述的一种铌酸钾铅压电单晶的制备方,其特征在于:在制备步骤(1) 原料块的合成中,原料块的形状根据坩埚形状为圆柱形、长方形、或者正方形。

3.如权利要求1所述的一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法,其特征在于:在步骤(2)的 制备过程中,所述籽晶取向为<110>、<001>、或者<100>方向,籽晶形状根据坩埚形状为圆 形、长方形或正方形。

4.如权利要求1所述的一种铌酸钾铅压电单晶的制备方法,其特征在于:马弗炉体内设 置至少两个等效工位,同时放置至少两个坩埚,并制备出至少两根晶体。

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