[发明专利]一种带隙可调BeCdZnO化合物半导体材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610128338.4 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN105800671A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 何云斌;徐振;黎明锴;张迷;林银银 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C01G11/00 | 分类号： | C01G11/00;C04B35/453;C04B35/622;C23C14/08;C23C14/28 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 可调 becdzno 化合物 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
【说明书】：
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