[发明专利]半导体封装件有效
申请号: | 201610127166.9 | 申请日: | 2016-03-07 |
公开(公告)号: | CN105702635B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 杜茂华 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
本发明提供了一种半导体封装件。该半导体封装件包括:基板,具有背对的第一表面和第二表面;连接构件,设置在基板的第一表面上;芯片,设置在多个连接构件上以通过多个连接构件与基板电连接;感光阻焊层,包括本体部和位于本体部上的突出部,其中,本体部设置在基板的第一表面的未设置有连接构件的区域上,突出部从感光阻焊层的本体部的一端朝向所述芯片延伸并在芯片的两端位于芯片下方。该半导体封装件能够防止芯片过量变形,从而避免发生短路。
技术领域
本发明涉及封装技术领域,具体地,涉及一种防止芯片变形的半导体封装件。
背景技术
在现有的半导体封装件中,芯片通过凸点与基板连接,同时注塑底充料填充至芯片与基板之间以包裹芯片。
具体地讲,在倒装芯片中,芯片通过凸点与基板连接,实现支撑和电信号传输,而为了减小应力,在芯片与基板间会填充底充料,现在为了提高生产性,很多采用了注塑底充料,即将底充料和塑封料的材料合二为一,在完成塑封的同时完成底部填充。例如,图1是示出根据现有技术的半导体封装件结构的示意性剖视图。参照图1,半导体封装件100包括:基板110;连接构件120,直接设置在基板110上;芯片130,设置在连接构件120上;包封构件140,用于包封芯片130和连接构件120;焊球160,附着到基板110的与其上设置有连接构件120和芯片130的表面相对的表面。参照图1,连接构件120包括直接设置在基板110上的凸点121和直接设置在凸点121上的铜柱122。
图2是如图1所示的半导体封装件在注塑底充料时的受力情况的示意图。如图2A所示,当注塑底充料时,由于芯片上方和下方的流动阻力的差异,会产生流动差,芯片上方的底充料的流动速度为VT,芯片下方的底充料的流动速度为VB,其中,VT>VB。芯片上方的底充料的流动速度快,这样对芯片形成一个作用力f,作用力f可以分解为竖直向下的力f1和水平的力f2。由于注塑的温度一般为175℃左右,此时焊料凸点的模量很小,所以容易发生变形,如图2B所示。这样随着向下的作用力f1,使凸点发生变形,凸点变形后,横向尺寸增大,相邻的凸点之间容易发生短路。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够防止凸点发生短路的半导体封装件。
本发明提供了一种半导体封装件,所述半导体封装件可以包括:基板,具有背对的第一表面和第二表面;多个连接构件,设置在基板的第一表面上;芯片,设置在所述多个连接构件上以通过所述多个连接构件与基板电连接;感光阻焊层,包括本体部和位于本体部上的突出部,其中,本体部设置在基板的第一表面的未设置有连接构件的区域上,突出部从感光阻焊层的本体部的一端朝向所述芯片延伸并在芯片的两端位于芯片下方。
每个连接构件可以包括直接设置在基板的第一表面上的第一连接构件和直接设置在第一连接构件上的第二连接构件。
第一连接构件可以是由锡或锡银合金形成的焊料凸点,第二连接构件可以是铜柱。
突出部的高度与本体部的厚度之和可以小于第一连接构件的高度与第二连接构件的高度之和。
突出部的高度与本体部的厚度之和可以大于第二连接构件的高度与第一连接构件的最大变形高度之和。
芯片的功能区可以与连接构件连接。
半导体封装件还可以包括用于包封感光阻焊层和芯片的包封构件。
包封构件可以通过注塑底充料形成并填充在芯片和基板之间以包封连接构件。
半导体封装件还可以包括:外部连接端子,设置在基板的第二表面上。
附图说明
通过结合附图对示例性实施例的以下描述,本发明的各方面将变得更加容易理解,在附图中:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610127166.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体封装件及其制法
- 下一篇:鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法