[发明专利]一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法

权利要求书

1.一种生长AlN薄膜的方法，包括下述步骤：

1）在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；

2）在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到AlN薄膜；

所述玻璃为耐高温玻璃；

所述石墨烯薄膜的沉积通过常压化学气相沉积实现；

所述常压化学气相沉积中，沉积环境为常压环境；沉积温度为1000℃-1100℃；沉积时间为60 min-600 min；载气为由氩气和氢气组成的混合气，其中氩气与氢气的流量比为1-10:1，氩气的流量为100-1000sccm，氢气的流量为50-500sccm；碳源为甲烷或乙烯，流量为10-50sccm。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法步骤1）中，所述耐高温玻璃选自下述任意一种：石英玻璃、蓝宝石玻璃和耐高温硼硅玻璃。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述方法步骤2）中，所述高温AlN薄膜的沉积通过下述至少一种方法来实现：金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延和溅射法。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述高温AlN薄膜的沉积通过MOCVD实现，所述MOCVD操作条件如下：所述表面覆盖有石墨烯的玻璃加热至600℃-1200℃，三甲基铝流量为50sccm-120 sccm，氨气流量为500sccm-2000 sccm，生长室压强为30torr-100torr，使用N₂作为载气。