[发明专利]一种半导体光电探测器及其制备方法、电子装置

权利要求书

1.一种半导体光电探测器，其特征在于，所述半导体光电探测器包括：

半导体衬底；

第一电极，位于所述半导体衬底上，所述第一电极包括主体层以及位于所述主体层上的相互间隔设置的若干柱形结构；

隔离材料层，位于所述主体层的表面以及所述柱形结构的侧边上；

第二电极，位于所述主体层上方的所述隔离材料层上；

吸收层，位于所述第二电极、所述隔离材料层和所述柱形结构的上方，以覆盖所述第二电极、所述隔离材料层和所述柱形结构。

2.根据权利要求1所述的半导体光电探测器，其特征在于，所述吸收层包括石墨烯层。

3.根据权利要求1所述的半导体光电探测器，其特征在于，所述隔离材料层包括氧化物层。

4.一种半导体光电探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一电极，所述第一电极包括主体层以及位于所述主体层上的相互间隔设置的若干柱形结构；

在所述主体层的表面以及所述柱形结构的侧边上形成绝缘层；

在所述柱形结构之间的所述绝缘层上形成第二电极；

在所述第二电极、所述绝缘层和所述柱形结构的上方形成吸收层，以覆盖所述第二电极、所述绝缘层和所述柱形结构。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述吸收层包括石墨烯层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述石墨烯层通过化学气相沉积或者低压化学气相沉积形成，沉积前驱体包括甲苯、苯、或甲烷。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述第一电极的方法包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有所述主体层；

在所述主体层上形成具有开口图案的掩膜层；

在所述开口图案中填充导电材料，以形成柱形结构的第一电极；

去除所述掩膜层。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述第二电极的方法包括：

在所述绝缘层上形成导电材料层，以覆盖所述绝缘层；

沉积第一介电层，以填充所述柱形结构之间的间隙并覆盖所述导电材料层；

回蚀刻所述第一介电层，以减小所述第一介电层的厚度，露出部分所述导电材料层；

去除露出的所述导电材料层，以露出部分所述绝缘层；

沉积第二介电层并平坦化所述第二介电层至所述柱形结构，以填充所述柱形结构之间的间隙并覆盖露出的所述绝缘层；

去除所述第二介电层，以露出下方的所述导电材料，形成第二电极。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在平坦化所述第二介电层至所述柱形结构之后还包括：

在所述第二介电层和所述柱形结构上形成第三介电层，以覆盖所述第二介电层和所述柱形结构；

图案化所述第三介电层，以保留所述柱形结构上的所述第三介电层；

通过湿法清洗去除所述第二介电层和所述第三介电层，以形成所述第二电极。

10.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括权利要求1至3之一所述的半导体光电探测器。