[发明专利]一种压力计芯片

权利要求书

1.一种压力计，包括腔体、以及设置在所述腔体内的压力计芯片，所述压力计芯片由单晶硅制成，包括相互连接的基板及盖板，其特征在于：所述盖板上形成有凹陷部，所述凹陷部与所述基板形成一密封空腔，所述基板与所述盖板之间形成有氧化硅层；所述基板上设置有至少两组压阻测量元件，所述压阻测量元件位于所述空腔之内，两组压阻测量元件之间相互垂直，每组所述压阻测量元件沿不同的晶体方向设置；其中，所述基板设置在{110}晶体平面上，一组所述压阻测量元件沿<100>晶体方向布置，另一组所述压阻测量元件沿<110>晶体方向布置；所述基板的厚度大于所述密封空腔的宽度。

2.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述密封空腔为真空密封空腔。

3.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述压阻测量元件的末端形成有金属触点。

4.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述压阻测量元件包括多个相互连接的U型弯折部。

5.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述压阻测量元件相互之间以惠斯登电桥方式相电连接。

6.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述基板为P型硅，所述压阻测量元件是设置在所述基板上的N型掺杂区。

7.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述基板为N型硅，所述压阻测量元件是设置在所述基板上的P型掺杂区。

8.如权利要求6或7所述的压力计，其特征在于：所述盖板以及所述基板为长方体，所述盖板是设置在{110}晶体平面上的单晶硅；在所述盖板与所述基板的键合面上，所述盖板的每一条边与所述基板相对应的每一条边所沿的晶体方向一致。

9.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述压力计芯片基板为绝缘体上硅结构，包括衬底、器件层以及设置在所述衬底与器件层之间的氧化硅埋层；所述压阻测量元件设置于所述器件层上；所述器件层设置在{110}晶体平面上，一组所述压阻测量元件沿<100>晶体方向布置，另一组所述压阻测量元件沿<110>晶体方向布置。

10.如权利要求9所述的压力计，其特征在于：所述压阻测量元件的顶端、底端及侧壁上分别形成有氧化硅隔离层。

11.如权利要求9所述的压力计，其特征在于：所述器件层为P型硅，所述压阻测量元件是设置在所述器件层上的P型硅。

12.如权利要求9所述的压力计，其特征在于：所述器件层为N型硅，所述压阻测量元件是设置在所述器件层上的N型硅。

13.如权利要求9所述的压力计，其特征在于：所述基板为长方体，所述衬底是设置在{110}晶体平面上的单晶硅，所述衬底与所述器件层相应的每一条边所沿的晶体方向一致。

14.如权利要求9所述的压力计，其特征在于：所述盖板为长方体，所述盖板是设置在{110}晶体平面上的单晶硅，所述盖板与所述器件层相应的每一条边所沿的晶体方向一致。

15.如权利要求1所述的压力计，其特征在于：所述腔体由金属制成，所述腔体内填充有电绝缘液体，所述压力计芯片浸入在所述电绝缘液体中。

16.如权利要求15所述的压力计，其特征在于：所述压力计上还设置有金属膜片，所述金属膜片将所述电绝缘液体以及所述压力计芯片密封在所述腔体中，外界压力通过所述金属膜片传递至所述压力计芯片上。