[发明专利]氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法在审
| 申请号： | 201610122812.2 | 申请日： | 2012-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN105633234A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 庄家铭;徐宸科;黄惠葵;范慧丽 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 生长 衬底 及其 制作方法 | ||
1.氮化镓基半导体生长衬底，其包含：
一金属基板；
一晶格缓冲层，形成于所述金属基板上，其由类钻石薄膜构成；
一晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述金属基板选自碳化钨基板、钨基板、碳化硅或钢材基板。
3.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：还包括一种子层，其介于基板与晶格缓冲层之间。
4.根据权利要求所述的氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述种子层的材料选自铬、钛或镍。
5.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述晶格缓冲层的材料选自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC。
6.根据权利要求1所述的氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述晶格转换层的材料为氮化物。
7.根据权利要求6所述的氮化镓基半导体生长衬底，其特征在于：所述晶格转换层的材料选自氮化铝、氮化铝镓、氮化镓、氮化镓铟、氮化铟或氮化铝镓铟。
8.氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其包括如下步骤：
提供一金属基板；
在所述金属基板上形成一类钻石薄膜，作为晶格缓冲层；
在所述晶格缓冲层上形成一晶格转换层，其晶格系数介于GaN与类钻石薄膜之间，构成氮化镓基生长基板。
9.根据权利要求8所述的氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其特征在于：所述类钻石薄膜通过磁控溅镀法、离子蒸镀法、电弧离子蒸镀法，或电浆辅助化学气相沉积法形成于金属基板上。
10.根据权利要求8所述的氮化镓基半导体生长衬底的制作方法，其特征在于：先在所述金属基板上形成一种子层，再在所述种子层上形成晶格缓冲层的材料选自选自Si-DLC膜、C-DLC膜、Ni-DLC或碳化钛-DLC。
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